DRAM需求向弱？美光、三星蛰伏扩产蓄能

据TrendForce集邦咨询数据显示，2022年第2季DRAM产业营收255.9亿美元，季增6.5%。营收的成长动力来自于部分DRAM供应商出货位元的增长，虽然PC、mobile DRAM的需求因受通货膨胀冲击而开始减少，但上半年server DRAM 动能维持强劲，带动三星、美光、SK海力士三大原厂出货季增均达到 5-10%。

虽然产业营收成长，但受到消费市场疲软影响，DRAM市场需求持续减弱。展望第3季，TrendForce集邦咨询认为，由于原厂库存压力进一步攀升，价格跌幅明显扩大，而出货端受到客户库存调整的影响将难以成长，三家厂商营收恐将下跌。

从中长期看，全球DRAM市场仍将保持增长。在当下周期下行压力下，美光、三星纷纷蛰伏扩产蓄能，发力制程突破，等待新一轮周期上行。

美光拟投资150亿美元建厂

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制程上，美光在2021年便推出了其1anm内存节点DRAM，推出该工艺时，美光依旧未使用EUV光刻技术，美光称其存储密度比之前的1z nm节点DRAM提高40%。

据悉，美光1bnm将在今年年底于日本厂优先投产，待良率提升至一定水准后，预计明年在中国台湾厂继续导入量产。此外，今年6月，美光台湾区董事长卢东晖表示，其A3厂将会在今年下半年导入EUV设备，为美光1γ DRAM早日量产预做准备。

美光产能扩建也在近日正式提上日程。9月1日，美光科技宣布，计划于2030年之前投资150亿美元，在爱达荷州博伊西（Boise）建造一座新的尖端存储器制造厂。据悉，这是美光未来十年在全球投资超1500亿美元用于制造和研发计划的一部分，其中包括在2030年前投资400亿美元，在美国分多个阶段建立存储器制造厂。

公开资料显示，这将是20年来在美国本土新建的第一家存储器芯片制造工厂，也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。美光表示，公司将重点为美国本土市场的汽车和数据中心等行提供存储器芯片。目前，美光还未公开新工厂产能将生产何种芯片的详细信息。

三星计划再建3条产线？

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制程上，今年2月，三星官方表示其基于极紫外（EUV）光刻技术的1z-nm工艺的DRAM已完成了量产。业界消息显示，三星还将继续为下一代DRAM增加EUV步骤，其三星的P3工厂也将采用EUV工艺生产10nm DRAM。

产能扩建方面，据外媒近日消息，三星计划在韩国京畿道平泽市再建3条产线，考虑到每个半导体工厂约需30万亿韩元以上投资，三星电子将为该计划共投入100万亿韩元（约740亿美元）资金。

据悉，三星最近开始平泽工厂第4条生产线的初步建设，其第3条生产线的建设预计将于今年下半年完成，并在明年初开始贡献投片，三星计划优先投产制程为1alpha纳米的DRAM产品，其将显著带动1alpha纳米投产比重的提升。消息显示，三星3条新增产线的落地后，其平泽芯片工厂的生产线将增至6条。

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