发力汽车领域，瑞萨收购4D雷达公司并扩产IGBT

瑞萨电子近日发力汽车领域，先后宣布收购了4D雷达公司印度Steradian，并推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件。

收购Steradian，瑞萨计划扩大在雷达市场的影响力

8月31日，瑞萨电子公司宣布，它已达成最终协议，以全现金交易方式收购提供4D成像雷达解决方案的印度无晶圆厂Steradian半导体公司。这项收购预计将在2022年底前完成，但需符合惯例的成交条件。

据悉，Steradian成立于2016年，总部位于印度班加罗尔，该公司生产一款适用于76G至81GHz频段的4D雷达收发器，在雷达方面拥有高水平的专业知识，例如实现高性能、通过高集成实现小型化和高功率效率的技术。瑞萨表示，收购Steradian的雷达技术将使瑞萨能够扩大其在雷达市场的影响力，并促进其汽车和工业传感解决方案的提供。

自2018年起，瑞萨电子一直与Steradian聚焦工业领域开展深度合作。对于此次收购，瑞萨表示，不受天气或昼夜等外部环境限制，能够进行远距离探测的雷达，将成为未来实现高级驾驶辅助系统（ADAS）的核心设备，预计五年内安装的产品数量将增加三倍。鉴于汽车雷达市场的增长潜力，瑞萨将通过收购 Steradian 将汽车雷达产品添加到其产品组合中。

瑞萨将利用 Steradian 的设计资产和专业知识开发汽车雷达产品，目标是在2022年开始样品出货。此外，瑞萨计划通过将本公司的汽车雷达产品与用于雷达信号处理的ADAS SoC（片上系统）、电源管理IC（PMIC）、计时产品和识别软件相结合来开发汽车雷达解决方案，这将有助于雷达系统的设计并有助于早期发展。

瑞萨新一代IGBT功率损耗减少10%

与此同时，瑞萨在8月30日推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件。据悉，该晶体管采用新一代工艺作为功率半导体，用于电动和混合动力汽车等 xEV（电动汽车）的逆变器。与使用瑞萨常规工艺的IGBT产品相比，新产品的功率损耗降低了约10%，尺寸减小了10%，同时保持了击穿电阻。

瑞萨电子计划从2023年上半年开始在Naka工厂的200mm 300mm晶圆线上量产IGBT产品，从2024年上半年开始在甲府工厂正在建设的300mm晶圆线上量产。这将是瑞萨电子首款使用300mm晶圆量产的IGBT产品。

在8月30日与新产品发布同步举行的新闻发布会上，瑞萨电源系统事业部总经理Katsuya Konishi表示，“到2027年，xEV将占所有汽车产量的一半左右。与SiC（硅碳化物）MOSFET、IGBT（由硅[Si]制成）预计将占据汽车功率半导体业务规模的绝大部分，（瑞萨电子）将重点投资于这两个领域。”

在IGBT相关技术和产品开发的同时，瑞萨还在投资扩大产能，为未来对功率半导体的需求增加做准备。2022年5月，瑞萨决定投资约900亿日元在关闭的甲府工厂（山梨县开市），并将其作为300mm晶圆生产线的专用功率半导体工厂重新启动。从使用本次宣布的新工艺的IGBT产品的量产开始，计划于2024年上半年开始生产。

采用新工艺的IGBT产品的量产将首先在中工厂进行。在中工厂，除了在200mm晶圆线上生产外，我们还计划在300mm晶圆的小规模量产线上进行生产，并为甲府工厂早日开始量产做准备。

封面图片来源：拍信网