提升10倍，2030年处理器电晶体将达到1万亿个？

根据外媒报导，在上周的HotChips 34大会上，英特尔执行长Pat Gelsinge表示，小芯片设计加先进封装未来10年将延续定律的蓬勃发展。甚至，到2030年之际，电晶体密度将增加10倍，这将使得英特尔在芯片上发展到拥有1万亿个电晶体。

Pat Gelsinger表示，芯片制造厂提供的不再是单一的晶圆生产，而是完整的系统级服务，包括晶圆生产、先进封装及整合在一起的软件技术等,这样的做法称之为System on Package（简称SOP）。

Pat Gelsinger解释，资料中心内的机架式服务器蔚为风尚，这就是依赖以SOP为主所累积起来的发展模式，也就是当SOP成为了先进系统后，就能看到整体的持续发展。

事实上，要达到这种改变，其中一部分涉及节点微缩以及芯片堆叠技术。英特尔之前已经讨论过，将在2024年放弃FinFET技术，转而使用环栅(GAA)RibbonFET技术，也就是将在其intel 20A节点开始采用新的技术。同时，还将以PowerVIA背面供电技术来支援。Pat Gelsinger认为，这种制程以及封装技术的进步，将为半导体提供无限制的进步。

“今天，一个芯片上大约有1,000亿个电晶体。而在有了环栅(GAA)RibbonFET技术之后，将会产生一个新的基本电晶体结构，预计到达2030年之际，将可以使得电晶体数量达到1万亿个。”Pat Gelsinger说道。（文章来源：TechNews科技新报）

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