【现货行情】DRAM及NAND Flash现货价，跌！

DRAM

价格走势持续衰退

本周DRAM市场工厂端仍积极调整库存水平，多半将订单往后延长交货时间，仅依实际需求急单进行购货，且开低目标价格。供货商为求换现金，最后接受了目标价，加上月底月初即将到货影响，纷纷调降予以承接，品牌模组部分亦为相同情况，整体价格走势持续衰退。

DDR4 1Gx8 2666/3200部分，SK Hynix DJR-XNC报价落在USD2.80；Samsung WC-BCWE报价落在USD2.50，WC-BCTD现货报价也同样落在USD2.50左右。

DDR4 512x8 2400部分，Samsung WE-BCRC价格为USD1.65，WF-BCTD现货不见多余库存，价格支撑在USD1.7x~1.8x左右。

DDR4 512x16 2666部分，SK Hynix CJR-VKC报价为USD2.80~2.85；Samsung WC-BCTD跌幅高达10%，报价跳空下修至USD2.3x。

DDR4 256x16部分，Samsung WE-BCRC价格在USD1.7x，WF-BCTD下跌至USD1.38附近。

模组现货价格参考：

KST DDR4 8G 2666 $21.00

KST DDR4 16G 2666 $41.75

KST DDR4 8G 3200 $21.50

KST DDR4 16G 3200 $42.50

NAND Flash

报价小幅震荡走跌

本周NAND Flash市场买气萧条，工厂端需求亦明显缩减，供需双方态度皆不积极，除零星工厂端针对特定品牌SLC及高容量MLC颗粒仍有些许询单动作之外，需求持续萎缩，整体报价呈现小幅震荡走跌。

其中，Samsung SLC需求减缓，低价部位承接意愿偏低，实际成交量明显缩减许多。

SK Hynix SLC颗粒报价被动，但跌幅稍有趋缓，零星询单未见明显成交。

Micron SLC价格表现相对稳定，但因询单力道薄弱，并未见明显交集。

Kioxia SLC供应商不愿削价竞争，停止降价求售行为，跌幅趋缓，但询单依旧被动，未见有力买气支撑，预期未来仍有跌价空间。

TF卡

市场价格表现疲软

本周TF卡表现冷清，买气稍显停滞，市场询单动作有所减少，供应端报价较为被动，整体价格表现持续疲软，高容量卡价格下跌幅度相对大些，成交情况不甚理想。

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