英飞凌与II-VI公司签署碳化硅衬底长期供货协议

英飞凌科技与美国供应商II-VI（高意集团）签署了一份为期多年的供应协议，以进一步扩大其150毫米碳化硅晶圆供应商范围，此外，协议还包括双方共同开发200毫米碳化硅晶圆。

该协议支持英飞凌的多来源战略，提高了其关键碳化硅材料供应链弹性。第一批晶圆片已经交付。

作为战略合作伙伴，II-VI和英飞凌也将合作向200毫米直径碳化硅晶圆过渡，以实现更高产率和更低成本的碳化硅器件。II-VI目前正在包括中国在内的多地拓展150毫米和200毫米碳化硅衬底产能。

英飞凌表示，其专利CoolSiC系列产品已经是工业用功率半导体领域最具竞争力的组合。除了光伏逆变器和工业电源外，碳化硅的优势对于汽车电子也特别重要。碳化硅功率半导体用于电动汽车电驱系统的主逆变器、车载充电装置和充电基础设施。

目前，英飞凌还与美国的安森美、科锐以及日本昭和电工签署了供应协议。

英飞凌首席采购官Angelique van der Burg表示：“碳化硅化合物半导体在功率密度和效率方面制定了新标杆。我们正在基于新标准来实现脱碳和数字化战略，英飞凌正在加大对碳化硅产能的投资，以满足客户快速增长的需求。我们很高兴将II-VI加入我们的战略供应商行列，并共同发展我们的业务。”

II-VI宽带隙电子技术业务部执行副总裁Sohail Khan表示：“英飞凌作为功率半导体的市场领导者，是我们的重要合作伙伴，”“我们高度专业化的产品正在帮助英飞凌为全球主要客户提供创新的电子组件。”

英飞凌预计其碳化硅半导体销售额平均每年增长60%以上，到2025年将达到约10亿美元。在2026-2030年，英飞凌预计将继续保持增长势头，为实现这一目标，英飞凌最近还宣布在马来西亚居林投资扩建产能。

（校对/武守哲）