叶甜春：EUV路径被堵，中国集成电路近、中、远期三条换道突围路径

来源：集微网

8月25日，中国集成电路设计创新大会暨IC应用博览会（ICDIA 2022）在江苏无锡太湖国际博览中心正式开幕。

开幕式上，02专项技术总师、中国集成电路创新联盟副理事长兼秘书长叶甜春发表题为《走出中国集成电路创新之路》的演讲。

叶甜春指出，当前中国集成电路面临的战略问题主要有四个。一是“底线”判断：相较于中美贸易战和科技战的“极限施压措施”，俄乌局势下美西方的手段才是无下限的“真极限”，已经从“打压”升级到“冷战”级别。二是态势判断：我们面临的到底是“博弃”还是“战争”？三是应对逆全球化的策略：这包括是坚守全球化原则，更加开放；还是新建体系，通过“双循环”变成新的全球化体系。四是构建新生态的挑战：美国芯片法案倒逼中国科技自立自强，如何摆脱路径依赖，开辟新赛道，打造新生态？我们是否有这个能力？

为此，叶甜春从多个维度分析了中国集成电路当前的发展现状。数据显示，2008年-2021年国内设计业销售额增长13.2倍，装备业销售额增长22.8倍。

“过去12年，中国集成电路建立了完整的芯片工业体系，并且保持了高速增长，这是我们的基本信心。”叶甜春表示，但是当前也面临着战略定力减弱的问题，比如2016年以来，中国集成电路制造业前十大企业中，内资企业市场占比在2021年出现了下降。

对此，叶甜春提出了三点重要思考。首先是需要新的中长期系统布局，他认为，解决卡脖子问题切忌“头痛医头脚痛医脚”一定要有全局思维和顶层设计，找准表象背后的核心问题，系统部署，有序实施。近两年应急措施看上去效果明显主要是因为有过去三个五年计划的持续积累，如果没有新的中长期系统部署，我们可能面临更严峻局面。

其次，研发支持“空窗期”已有4年。叶甜春指出，由于研发投入严重缺位，过去形成的科技重大专项、大基金、科创板等“三链融合”的协同机制有所减弱，反而是“大联盟”继承了重大专项的协同机制，在主动地发挥作用。

再者，不能只在既有赛道上“补短板”，需要建立新的战略。叶甜春提到，基于已经建立的完整芯片工业体系布局，眼光先向内打造“系统芯片工艺装备材料”协同创新发展的生态，再眼光向外，接入全球资源，建立以我为主的全球化新生态。

谈及中国集成电路的未来发展，叶甜春认为，实行创新战略，路径创新、换道突围才是出路。

这可从三个方向进行突围：一是中国在FinFET路线上遭遇光刻壁垒，将倒逼“路径创新”，给FDSOI等技术带来机遇；二是集成方法从平面到三维将成为技术演进的新途径，功能融合趋势将拓展出新空间；三是架构创新、电子设计工具（EDA）智能化、硬件开源化等技术创新成为新焦点。

最后，叶甜春从近期、中期、远期三个时期的技术换道路径给与了重要指引。

首先是近期换道路径（3-5年）：可采用纳米环栅+系统封装的发展方式。这是一条非EUV路径：在14-7纳米工艺平台引进3纳米采用的纳米环栅(GAA)结构提高性能，用系统封装/Chiplet提高功能集成度。

其次是中期换道路径（5-10年）：着重于FDSOI新赛道，打造新生态。叶甜春认为，20年前主流技术路线之争中FinFET胜出，22纳米后，FDSOI的优势再次显现。

值得一提的是，我国具备FDSOI供应链安全基础，FDSOI现阶段国产设备自主率可达70%。“国产平面工艺设备自主率可达70%，有能力支撑FDSOI技术开发。预计10年内对EUV光刻没有依赖。”叶甜春强调。

最后是远期换道路径(10-15年)：将着眼于垂直器件三维电路。据了解，垂直器件可实现多层晶体管向上堆叠立体集成，换个方向提高集成度，并且可以缓解光刻缩微压力。在1纳米逻辑器件/10纳米 DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。

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