据哈尔滨新闻网报道，科友第三代半导体产学研聚集区项目一期于8月18日正式投用，预计年底全部达产后可形成年产能10万片6英寸SiC衬底的生产能力。
科友第三代半导体产学研聚集区项目由科友半导体与哈尔滨新区共同投资建设，总投资10亿元，旨在打造包括技术开发、装备设计等在内的全产业链的科技成果转化及产业化应用研究集聚区，并以哈尔滨为总部，打造国家级第三代半导体装备与材料创新中心。
据悉，该项目于2021年7月正式开工，仅过了一年多的时间就完成了一期2万平方米厂区的建设。项目生产车间里现已安装完100台长晶炉，后续将再安装100台，预计年底全部达产后可形成年产能10万片6英寸SiC衬底的生产能力。
科友半导体成立于2018年，专注于包含第三代半导体装备研发、衬底制造、器件设计、技术转移和科研成果转化在内的第三代半导体关键材料和装备领域，致力于实现SiC材料提纯—装备制造—晶体生长—衬底加工—外延晶圆的全产业链闭合，成为行业内顶尖的材料端全闭合企业。
值得注意的是，自成立以来，科友半导体在技术研发领域不断取得突破，进步速度快、影响范围广。在第三代半导体产学研聚集区项目投产之前，公司就接连在SiC晶体厚度及SiC长晶炉等领域传来好消息。
一方面，科友半导体6英寸SiC晶体厚度相继于今年2月、4月、6月突破20mm、28mm、32mm。另一方面，科友半导体于6月底宣布成功研制了自主可控的SiC电阻长晶炉，攻克了晶体开裂、边缘多晶、表面多型等技术难题；并且，通过应用电阻长晶炉突破了高速率、高品质的SiC晶体生长关键技术。现阶段，科友半导体在电阻炉体设计和长晶技术上已申请获得自主知识产权专利技术5项。
科友半导体表示，在相继突破4英寸和6英寸SiC衬底和装备技术的基础上，公司不断向产业化方向迈进，目前已形成从材料到衬底和装备的自主知识产权体系，具备规模化生产的条件。另外，目前其自主研发的SiC长晶炉（感应）已有99%的部件实现国产替代。
未来，科友半导体将继续深耕SiC晶体装备及关键工艺技术，实现低成本、低缺陷、高效率、高品质SiC晶体的规模化生产。
市场拓展方面，科友半导体的大尺寸SiC衬底材料现已广泛应用于5G通信、新能源汽车、芯片制造及照明光源等不同领域。按照公司发展规划，科友半导体未来两年将实现SiC衬底年产能20万-30万片，成为全球SiC衬底重要供应商之一。
短期来看，随着科友第三代半导体产学研聚集区项目的投产和产能的逐步释放，科友半导体6英寸SiC衬底的市场占有率将进一步提升。长期来看，在政策的支持下，科友半导体将依托材料端全产业链整合以及产能规模稳步扩大的优势，助力我国在解决高端装备和衬底材料制造上的“卡脖子”问题，推动关键技术的国产化进程。
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