8月21日，根据清纯半导体官方消息，公司正式推出1200V/14mΩ SiC MOSFET产品S1M014120H，并通过了车企和tier1厂商的测试。
其介绍，S1M014120H具有业界领先的低导通电阻，其静态导通特性和动态开关特性均达到国际一流水平，可应用于新能源汽车电机控制器、大功率充电模块、光伏逆变器以及大功率储能等领域。S1M014120H的推出填补了国内在该领域的产品空白。
1200V/14mΩ SiC MOSFET晶圆（左）、采用S1M014120H的1200V/800A功率模块（右）Source：清纯半导体
清纯半导体还将S1M014120H部分主要静态参数与国际一流产品（源于各产品规格书）进行对比，结果显示，S1M014120H可以在更大的栅极驱动电压范围内工作，以适应不同驱动电路的开发需求；其最高允许工作结温为175℃，进一步提升了器件的载流能力，有助于实现更高的功率密度，静态参数达到国际一流水平。
据介绍，清纯半导体已与国内领先的功率模块供应商紧密合作，对采用S1M014120H制造的多芯片并联功率模块进行测试。结果显示，采用S1M014120H的模块呈现波形平滑、高频振荡阻尼效应突出、开关能量低的特点，更加适合于电机控制器与充电模块这类对效率及电磁兼容性有更高要求的应用。此外，在开关波形特性及能量损耗方面，清纯半导体推出的S1M014120H已具备国际一流水平。
当下，以碳化硅为代表的第三代半导体产业正在迎来爆发。据TrendForce集邦咨询研究，为进一步提升电动汽车动力性能，全球各大车企已将目光锁定在新一代SiC功率元件，并陆续推出了多款搭载相应产品的高性能车型。
随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，TrendForce集邦咨询预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。
清纯半导体成立于2021年3月，是国内领先的碳化硅功率器件设计和供应商。自成立以来，清纯半导体不断取得SiC MOSFET在车载领域的研发及应用突破，目前已完成了1200V全系列碳化硅功率器件的产品化，可提供1200V 15A、20A、30A、40A等规格SiC SBD（碳化硅肖特基二极管）及1200V 75mΩ、60mΩ、40mΩ、32mΩ及大电流车载芯片等规格SiC MOSFET（18V和15V驱动可选）。
其中，今年4月，清纯半导体发布了国内首款15V驱动的1200V SiC MOSFET器件平台产品。该产品填补了国内在15V驱动SiC MOSFET产品领域的空白，使国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。
该款1200V 75mΩ SiC MOSFET已经通过了车规级测试，且获得了国内领先新能源逆变器制造商的批量订单。
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