英诺赛科：走出GaN“舒适圈”，更高功率应用全面覆盖

“在消费电子市场站稳脚跟之后，英诺赛科率先走出GaN应用“舒适圈”，顺利开拓数据中心、电动汽车、储能等更高功率应用市场，预估明年GaN高功率应用业务占比将逐渐提升，消费类业务占比将随之下降”，英诺赛科首席营销官冯雷博士近日在集邦咨询第三代半导体前瞻分析会期间接受大众媒体和行业媒体采访时如是说。

实际上，冯雷博士在此之前也曾公开坦言，消费快充只是开始，数据中心、电动汽车、太阳能及储能等应用将支撑GaN呈现指数级增长。基于这一共识，英诺赛科及GaN行业其他玩家都在积极挖掘GaN材料的特性，从消费电子市场逐步朝向数据中心、电动汽车等更高功率半导体市场前进，共推GaN在更多领域的应用和普及。

从小功率到大功率，

英诺赛科深化现有市场布局

从小功率到大功率，从消费电子到数据中心、电动汽车、储能等，8英寸硅基GaN研发与制造企业英诺赛科持续深化现有市场布局，并已经开始在更多领域留下足迹。

冯雷博士介绍，英诺赛科在消费电子领域收获颇丰，已与国内外许多一线消费电子品牌达成合作，如国内的OPPO、vivo、联想、中兴、摩托罗拉、努比亚、荣耀等；海外品牌的合作也都进入了Design-in的阶段，进一步的成果非常可期。

技术上，英诺赛科也突破了GaN的应用边界，积极开发All-GaN技术，已经联合安克在海内外发布了基于All-GaN技术的快充新品。应用上，不止智能手机，英诺赛科也打开了笔记本电脑的市场，产品应用从小功率的充电器拓展到了更大功率的适配器。

在消费电子市场稳占一方市场的基础上，英诺赛科GaN新赛道上开始跑出“加速度”。冯雷博士透露，英诺赛科针对电动汽车市场开发的车规级产品已经获得激光雷达客户采用；在储能市场也已经与电池行业领头羊建立了合作关系；在数据中心市场，英诺赛科与通信和互联网领域的头部企业紧密合作，正在积极推进InnoGaN产品的评估和验证。

针对GaN在数据中心的应用机会和公司的布局，英诺赛科产品应用总监邹艳波在集邦咨询第三代半导体前瞻分析会上也展开了全面的介绍。

邹艳波指出，物联网、云计算、人工智能、大数据数字化浪潮推动了数据中心的发展，数字化进程的不断提速意味着未来数据中心的耗电量将大幅增长，其中，CPU和GPU是耗电大户，预估2030年数据中心的耗电量会达到3000Twhr，相当于全球能耗的10%。从这个数字读取到的关键信息便是，数据中心需要优化的解决方案，找到更绿色、低碳的发展模式。

据介绍，数据中心算力需求的提升需要更大的电流来支撑，对于供电系统而言，则需要更高功率密度、更快的响应速度的解决方案。供电架构中，从前端的AD-DC（PFC）到DC-DC（400V-48V，48V-12V）再到芯片的供电（12V-1V），GaN能够以更高的开关速度和更低的开关损耗等特性，提升供电效率和功率密度，同时帮助简化电路设计，缩小系统体积。

邹艳波表示，相比Si，现有的100V-650V GaN技术具有非常明显的优势，目前在应用上处于井喷初期；30-40V GaN同样展示出性能的优势，备受业界关注。对此，英诺赛科已经可以提供全链路的GaN数据中心供电解决方案，助力数据中心实现更高效、更高功率密度、更高动态响应的供电。

面向不同应用领域，英诺赛科还推出了三个新产品：INN040LA015A、INN100W032A、INN650D080B。三款产品均为E-mode器件，耐压值分别为30V、100V、650V，面向通信基站、电机驱动、户外电源、电动工具、工业电源等不同的应用场景，具有高效率、高频、高可靠性等特点，可以助力碳达峰、碳中和目标的实现。

技术和产能双重保障，

英诺赛科全球扩张计划稳步推进

英诺赛科实现GaN各应用市场的全面覆盖，依托的是技术和产能的双重保障。

邹艳波介绍，基于IDM的经营模式，英诺赛科从技术研发、到材料生长维度创新再到器件设计，端到端挖掘GaN材料的特性和优势。利用IDM模式的优势，推动产品的快速迭代，每两代产品升级可使单片晶圆的芯片数量增加到两倍左右，产品性能提升一倍的同时，成本也降低了一半。面对电动汽车等严苛的使用环境，英诺赛科的技术也通过了AEC车规级认证，产品获得客户的认可和采用。

产能方面，英诺赛科拥有全球首个8英寸硅基GaN研发基地和生产基地。其中，珠海研发生产基地于2017年实现量产，目前产能为4000片晶圆/月。2018年布局的苏州基地将有更大的规模，产能相当于珠海基地的1-20倍，规划产能是6.5万片/月，该基地于去年6月份实现量产。

邹艳波指出，珠海和苏州的产能加起来超过全球GaN产能的50%以上，到2025年，两大基地的8英寸产能将可达70000片/月。综合来看，邹艳波认为，英诺赛科完全有信心给客户提供自主可控的产品和产能的保障。

冯雷博士也表示，作为全球第一家以IDM模式运营的8英寸硅基GaN企业，英诺赛科在合适的时机切入了这个潜力巨大的市场，除了产能的产业化，英诺赛科更多的是凭借在技术和产品布局上领先行业的科技优势，以及产品覆盖率优势，顺利向国际市场扩张。

据化合物半导体市场了解，今年初以来，英诺赛科先后在美国硅谷、比利时鲁汶及韩国光明设立了销售和设计中心，并且，其在欧洲的研发中心也入驻了比利时“氮化镓谷”，技术人才、客户资源稳步收入囊中，国际业务多点覆盖。

GaN趋势已成，

团结合作才能共赢

“从整个行业的角度来看，第三代半导体产业正处于发展的黄金期，无论是GaN还是SiC，都是增量市场，就连Si也仍有着成长的空间。

虽然GaN与SiC和Si之间都存在竞争的关系，但现阶段的重点是如何充分发挥GaN在不同应用场景的价值，而这需要整个行业的共同努力”，冯雷博士坦言。

无论如何，GaN具备特有的高频率、高开关速度、低开关损耗的特性，是大功率电源、车载激光雷达等领域公认的良选，在车载OBC、DC-DC甚至牵引逆变器上的呼声也渐高。

总而言之，GaN在消费电子、数据中心、电动汽车、储能等市场的应用趋势已定，但团结合作才能共赢，当前爆发的需求出现在消费电子市场，数据中心等领域尚需企业耐心耕耘。

冯雷博士及邹艳波均表示，今后，英诺赛科对内将持续以技术创新为源动力，坚持全球化布局战略，向更高功率应用市场扩张。

对外，英诺赛科将积极与GaN产业链上下游厂商共同把握好数字化的浪潮，协同攻关GaN产业难题，推动GaN渗透更多应用市场，赋能绿色转型，助力低碳发展。