【专利解密】东方晶源助力提高光刻胶模型精度

【嘉勤点评】东方晶源的光刻胶模型优化专利，通过计算对比找到对格点依赖误差影响最大信号并进行限制，使得标定模型过程中信号对模型的影响降低，从而提高模型的精度，有效解决了现有技术模型精度不足的问题。

集微网消息，近日东方晶源发布首款基于云端的EDA计算光刻平台——AeroHPO全流程协同优化系统，已成为国产EDA和一体化良率解决方案“云”部署先行者。

集成电路制造过程中最核心、最复杂、成本最高的工艺就是光刻，光刻模型是计算光刻仿真的基础，模型的准确性直接决定了计算光刻仿真的准确程度。建模时首先对连续图像进行采样和量化操作使之转换为数字图像以便于计算机处理，图像像素化处理过程中的网格量化误差被定义为格点依赖误差。现有技术的光刻胶模型有着格点依赖误差大，导致光刻胶模型精度不足的问题。

为此，东方晶源于2022年1月7日申请了一项名为“一种光刻胶模型优化方法”的发明专利（申请号: 202210019487.2），申请人为东方晶源微电子科技(北京)有限公司。

图1 光刻胶模型优化方法步骤流程图

图1为光刻胶模型优化方法步骤流程图，主要包括以下步骤：首先提供初始光刻胶模型（S1）；然后设定初始测量线，以预设间隔沿着与初始测量线平行的方向在初始光刻胶模型的预设范围内移动初始测量线至少两次，获得对应的偏移测量线，计算每条偏移测量线的格点依赖误差（S2）；再选取格点依赖误差最大的偏移测量线，输出该偏移测量线与初始测量线各自的光刻胶项所对应的信号，确定对格点依赖误差影响最大的信号（S3）；最后限制对格点依赖误差影响最大的信号并得到初始标定光刻胶模型（S4）。

图2 光刻胶模型优化方法的具体步骤图

图2为光刻胶模型优化方法的具体步骤图，进一步包括以下步骤：针对初始标定光刻胶模型再次依照上述步骤计算格点依赖误差（S501）；若格点依赖误差满足预设条件则使用该初始标定的光刻胶模型作为最终的光刻胶模型（S502）；若格点依赖误差不满足预设条件则再次限制对格点依赖误差影响最大的信号并针对初始标定光刻胶模型进行再次标定（S503）。通过优化后重新标定模型再判断是否满足预设条件的设计，防止优化后模型精度仍不满足客户要求，同时可以自动实现，提高了优化的效率和准确性。

具体地，预设条件设置为格点依赖误差的目标数值范围或重新标定的次数。当设置为格点依赖误差时，可以提高单次优化提高的模型精度；设置为重新标定的次数时，可以减少重新设置优化的次数，提高了优化效率。

进一步地，信号为光刻胶模型通过计算机拆分出的每个光刻胶项对应的信号，包括光刻胶项和与其对应的系数，限制信号的方法为限制其系数的大小。通过计算初始测量线与偏移测量线的信号差值来表达光刻胶项对格点依赖误差的影响，使得把格点依赖误差最大的偏移测量线与初始测量线的信号相减时，可以直接明了的看出哪个光刻胶项对格点依赖误差的影响最大，提高了效率，同时可以通过限制其系数的大小的方式，直接限制光刻胶项对模型的影响，简单快捷。

简而言之，东方晶源的光刻胶模型优化专利，通过计算对比找到对格点依赖误差影响最大信号并进行限制，使得标定模型过程中信号对模型的影响降低，从而提高模型的精度，有效解决了现有技术模型精度不足的问题。

东方晶源是一家专注于集成电路良率管理的企业，自成立以来坚持以创新引领发展。未来，东方晶源将不断进行技术突破与产品创新，为中国芯片制造产业崛起贡献力量。

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（校对/王云朗）