美再设路障 确保国内IC设计无法借道超车

美国商务部上周推出更多对国内的技术管制，其中一项是禁止针对GAAFET晶体管架构的EDA软件输入国内，就实际意义来说，这等于是限制住国内IC设计未来在3纳米以下制程的发展，在没有EDA软件的支持下，国内IC设计未来将无法设计采用GAAFET架构的任何产品。

熟悉IC设计业界人士指出，这项禁令短期之内无论是对于国内业者，还是整个半导体供应链来说，影响都不大，比较偏向是超前部署。

据了解，目前三星电子(Samsung Electronics)在3纳米制程已经启用GAAFET架构，而台积电则是预计在2纳米使用，因此，根据禁令内容，未来国内IC设计业者仍然能够设计FinFET架构的3纳米制程产品，并投片在台积电的3纳米制程，但三星就确定无法支持相关订单了。

至于台系的IC设计服务及IP业者，目前与国内客户的合作，多数还没有包含到这么先进的制程节点，短期内对营运并无显着影响。

在国内半导体加速自主化的过程中，在海思被制裁之后，设计端的发展就越来越受限，仅有部分国家资本扶持的国内IC设计业者，针对高速运算、挖矿、AI加速等芯片产品，会采用到先进制程，未来这些产品预计也会逐步往5纳米、3纳米甚至更高的2纳米走。

虽然3纳米以下的市场，全球已经没有多少IC设计业者有能力驾驭，国内业者现在更可以说是几乎没有量的状态，但假以时日还是有机会推进到这个技术节点。

相关业者指出，也是因为这个禁令现在对多数半导体供应链来说几乎没有损失，美国才会毫无顾忌地提前宣布，这为的就是避免国内业者以商用产品为理由，向台积电、三星等业者投片，取得足够的先进制程芯片后，借此用于军事等其他用途。

虽然这个布局的距离是比较长远，但也不排除未来是否会有进一步的禁令，市场人士指出，美国商务部其实对于EDA软件的禁令已经酝酿多时，现在只是先对短期影响较小的GAAFET架构来禁止。

如果美中双方的利益冲突未来进一步加剧，往FinFET架构实施禁令并不是不可能的事，届时的影响范围就会非常巨大，除了EDA软件业者可能跳脚之外，由于FinFET制程涵盖范围非常大，等于国内IC设计业者最多就只能设计到28纳米的产品，往下的所有制程通通无法涉略。

美国最终是否会将禁令延伸到这个程度，最终应该也是偏向政治决策，但可以预期美国商务部会继续采取这种「切香肠式」的政策工具，弹性调整禁令的上限，来确保国内的半导体发展状况能够在美国的掌握之中。

毕竟对于美国来说，只要不妄图挑战美国的技术领先地位，如果国内在半导体领域能够像过去一样发挥成本效益，生产一些大宗的中低端产品，来降低电子产品的生产成本，美国仍然会表示欢迎，但在现在这样的政治氛围下，双方恐怕难以达到这样的平衡点。

责任编辑：陈奭璁