传SK海力士美国筹建先进封装厂 预计1Q23动土

韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)，传打算在美国建立先进芯片封装厂，预计2023年第1季左右动土，最快2025年量产。分析认为此计划，应是SK集团(SK Group)先前宣布美国220亿美元投资中的一环。

路透(Reuters)引述多名业界消息人士说法，指SK海力士将在美国建立先进芯片封装厂，预计2023年第1季动土。消息人士称，建厂估计成本达数十亿美元，预计2025～2026年实现大规模生产，雇用约1,000多名员工，并且可能位于一所拥有工程人才的大学附近。

SK海力士隶属韩国第二大的SK集团，稍早集团会长崔泰源透过视讯，向美国总统拜登(Joe Biden)表示，将投资美国半导体、绿色能源和生物科技约220亿美元，封装厂的投资兴建，应是其中一项子计划。

消息人士补充指出，这座先进封装厂，可能会将SK海力士自家存储器，与其他美国业者设计的逻辑芯片进行整合，包括机器学习、人工智能(AI)芯片等。SK海力士并没有透露更多该工厂的具体细节，仅表示在最近宣布的投资中，将有150亿美元用于先进封装和其他半导体相关研发。

分析认为SK集团近日的布局与投资举动，应是与拜登本周签署的芯片法案有关，该法案将为芯片制造与研发提供520亿美元补贴，以及估计将为芯片厂，提供大约240亿美元的投资税收抵免。

然而，对于这项传闻，SK海力士相关人士向韩媒韩联社表示，美国先进封装厂的投资，尚无任何具体规划，目前仅止于通盘考量阶段。

责任编辑：张兴民