重庆万国造出自研自产IGBT元件，预计今年年内实现量产

集微网消息，据重庆日报报道，重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。目前该IGBT元件通过用户试用，预计今年年内实现量产。

据悉，重庆万国在今年年初启动IGBT元件项目研发，该元件具有饱和压降低，开关损耗小，电流短路能力强等特点，可用于消费电器与工业电器的动能转换。

重庆万国市场资深经理李仁果介绍，在过去12个月的出货量中，重庆万国做到每10亿颗芯片中，不良率只有3颗。

目前，重庆万国已启动上市计划，并已引入京东方等行业头部企业或专业投资机构作为战略投资人。下一步，重庆万国将进一步加快半导体芯片及半导体芯片封装的设计、制造、销售，不断推出创新产品。（校对/韩秀荣 ）