又一个10亿项目开工，第三代半导体国产化替代指日可待

8月8日，成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目建设正式启动。

据悉，高端功率半导体器件及模组研发生产项目总投资约10亿元，建成投产后将为森未科技在内的功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务，包括IGBT芯片、模组及方案组建产品等，实现年营收9亿元。

据成都日报报道，该项目占地30亩，计划分两期建设。其中，一期将建设一条8英寸超薄IGBT（绝缘栅双极型晶体管）特色背面晶圆线，一条高端功率半导体集成封装生产线，计划今年年底完成厂房封顶。一期项目建成后，将形成年产120万只功率半导体模块制造能力，10万套集成组件生产能力。

第三代半导体产业国产化替代指日可待

目前美欧、日韩等地区已经实现SiC、GaN等新材料半导体功率器件的量产。国内企业也依托国家产业政策的重点扶持，也已开始布局新型半导体材料领域。

三安光电、露笑科技、晶盛机电、新洁能、时代电气、山东天岳、士兰微、扬杰科技、斯达半导、宏微科技等A股半导体公司加速布局。同时，天科合达、百识电子、同光晶体、中电科二所、泰科天润、超芯星芯粤能等企业也逐渐发力第三代半导体领域。

近年来，国内关于第三代半导体项目签约、开工、投产的消息不绝于耳，同时，A股厂商也在募资加速该领域的市场扩张。

如士兰微于7月29日宣布子公司士兰明镓已启动化合物半导体第二期建设，即实施“SiC功率器件生产线建设项目”；新洁能于8月4日宣布完成了其上市后进行的首轮募；宏微科技也宣布，完成了在电动汽车主驱IGBT模块产品批量化供应，出货给整车客户和Tier1客户，汽车端订单饱满。

未来，随着国内功率半导体产业链日趋完善、技术取得较大突破，加之新冠疫情引起全球产能供应紧张、产品供不应求，下游各领域客户逐步转变选择本土供应商并进行技术探索，未来第三代半导体国产化替代指日可待。

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