紧跟三星脚步 SK海力士投入CXL存储器战局

基于PCIe 5.0的CXL，是为高效使用中央处理器(CPU)、绘图处理器(GPU)、加速器和存储器等，而开发出的全新标准化界面，SK海力士自CXL联盟成立初期开始，一直积极参与，引领CXL存储器市场发展。CXL存储器市场的核心在于扩展性，采用服务器平台的同时，可以弥补现有存储器容量和效能固定不变的局限性，灵活地扩充存储器。尤其随着CXL在人工智能(AI)、大数据等高效能运算领域备受瞩目，未来成长可期。

SK海力士开发的首款CXL存储器，采用最新技术节点1a纳米DDR5 24Gb的96GB产品，提升带宽和容量的同时，也期待能够提高客户满意度。SK海力士相关人士表示，CXL将成为扩展存储器和开拓新市场的契机。

相关人士同时透露，SK海力士CXL存储器产品计划2023年投入量产，随后继续开发最尖端DRAM及先进封装技术，推出基于CXL，多样化带宽、容量的存储器解决方案产品，扩大CXL存储器生态系。SK海力士计划于全球快闪存储器峰会(Flash Memory Summit；FMS)、9月底英特尔(Intel)技术创新峰会(Intel Innovation)，以及10月的开源运算计划(Open Compute Project；OCP)全球峰会上，展示相关实体产品。

事实上三星电子(Samsung Electronics)领先SK海力士，于2021年5月宣布，开发首款基于CXL的DRAM技术，并于2022年5月成功开发出512GB产品。英特尔近期中断Optane存储器事业，专注于CXL平台，也使未来CXL存储器市场的竞争格局受到更多关注。

另一方面，存储器价格走跌，三星、SK海力士等全球存储器制造商，面临获利恶化风险，日前三星、SK海力士相关人士表示，监于需求可能下滑及库存增加，计划减少资本支出或调整相关计划，为了扞卫短期存储器获利，比起削价竞争，开发高附加价值产品才是当务之急。

韩国业界相关人士表示，DRAM透过先进制程降低芯片线幅，NAND Flash则不断强化堆叠技术，目的皆是为了确保成本竞争力，预料超高速、大容量、低功耗与高附加值存储器，将是未来各大业者的兵家必争之地。