全面围堵！美国想禁14nm及以下、128层以上的半导体设备

近日，有媒体报道称，为了全面围堵中国半导体的发展，美国官员计划对14nm及以下的芯片制造设备，以及128层以上的存储芯片制造设备进行禁止，不允许供应商们对位于中国大陆的厂商出货。

为何要禁止14nm及以下的芯片制造设备？原因在于28nm是成熟工艺与先进工艺的分界线，14nm算是先进工艺了，所以要禁止，只能让我们制造成熟工艺的芯片，停留在成熟工艺上，然后先进工艺的芯片，从美国买，然后美国获得巨额利益。

而为何要禁128层以上的存储设备制造设备？原因在于128层的NAND闪存，在当前其实也算是成熟工艺了，长江存储早已量产了。

像三星、SK海力士等早就进入了192层，甚至200＋层，最近美光不就表示已经推出了232层 3D NAND闪存了么？

禁128层以上设备，相当于就阻止中国存储芯片厂商，进入了更先进的技术，只能停留在128层技术上。

据称，这个禁令针对的是所有位于中国大陆的厂商，不管这个厂商是不是中国本土的厂商。意思就是假如台积电、intel、三星等企业，在中国大陆设的厂，也一样要被禁止。

很明显，美国就是全方面的进行围堵我们的半导体产业掌握先进技术，希望我们只能掌握成熟的技术，这样就离不开美国的芯片，一直被美国卡着脖子，那么我们的高科技产业，就一直处于美国掌握之中。

不过，当前这个禁令还只是某些官员提出，并没有真正的成为政策执行，但接下来会不会执行，还是未知数。

但这则消息已经反映出一个现象，那就阻止中国科技产业崛起，可能已经是美国某些政客的共识了，这对于我们而言，确实不是一个好消息。

再考虑到美国之前通过的520亿美元的芯片补贴计划，要锁死中国高端芯片产业10年，逼芯片巨头们二选一，所以我们接下来发展半导体产业，只能靠自己，不能对外有任何幻想，一定要全产业链崛起才行。

原文标题:全面围堵！美国想禁14nm及以下、128层以上的半导体设备