良率是半导体致胜关键 学研界致力改善材料缺陷

台积电3纳米将在2022年下半开始量产，2纳米部分则预计2025年量产。目前政府支持学界的前瞻半导体研发计划，已经走到1纳米以下。但对厂商而言，愈是先进的制程，良率愈难做到完美状态，而良率又和制造成本能否降低直接相关。虽然台积电未来是否会选择台湾学界研发的技术还未定，但政府挑选的几个次时代半导体研究方向，目前都按计划执行中。

由科技部改制的国家科学及技术委员会7月底正式揭牌运作，主委吴政忠表示台湾不能只有半导体，其他产业也要发展。但政府支持的次时代半导体相关计划仍吸引众人的目光，各团队预计先执行至2025年，若确实符合产业需求且可补台厂的技术缺口，国科会将再编列2026~2030年的预算。

根据国科会相关文件，为因应次时代半导体战略需求，政府有必要更积极运用大型研究设施优异特性，让国际级尖端光源设施成为推动半导体前瞻研究的实验利器与坚实后盾。特别是先进半导体元件因具有非破坏式读取、低功率及高反应速度等优点，被认为有机会突破摩尔定律的物理极限。

既然台积电宣布3纳米能如期量产，相关的材料、工程等问题应该也都完整解决。不论未来继续微缩，或采用3D IC堆叠技术，半导体材料中的金属氧化物层缺陷浓度将是一道关卡，目前台湾学界正以非破坏的方式，分析半导体元件内各层超薄薄膜的晶体结构、界面型态与电子能带，提供芯片材料特性与结构的设计基础。

国科会指出，当前许多严峻的挑战也牵涉国家与社会上复杂的议题，如气候变迁、灾害防救、医疗生技及科研人才政策等，科技发展的能量，已不仅仅是国家目前与未来竞争力的指标，同时也是回应国内、外社会挑战与国家安全的关键。

有监于人才是半导体和其他科技产业不可少的发展要素。未来在人才政策上，国科会要将上游的研发成果有效衔接至下游政府作业单位或产业应用，并致力将优秀大学研究团队所提供之创新研究成果与法人之实证整合能力结合运用。

至于整体高端科研人才生态系统方面，在人才养成的各个阶段，皆有相对应之补助措施，透过扎根、转型、拔尖、共育及友善等五面向，以跨部会横向合作模式，杠杆产业资源公私协力，同时链结在地资源及产学研能量等策略推展，以培育具跨域能力及国际观之科研人才。

责任编辑：朱原弘