三星、SK海力士新一代封装技术即将取得突破

据韩媒报道，为了配合半导体先进制程发展，三星电子、SK海力士正积极发展新封装技术。其中，三星正开发能搭载8颗高频宽存储器(HBM)模块的封装技术，SK海力士则在发展混合键合技术，最快有望再2025年投入量产。

据悉，三星通过2.5D封装技术实现了2颗HBM、4颗HBM的封装技术后，也即将完成搭载8颗HBM的封装技术开发。随着三星提高HBM搭载量，也将提高存储器产品效能，并渴望以此加快进军高效运算(HPC)、人工智能(AI)市场。

另外，三星正在筹备新一代3.5D封装技术。从技术方面来说，2.5D是在封装基板上铺设数据传输用硅中介层(interposer)，采平面并排逻辑IC与HBM的技术，预计三星的3.5D技术将以2.5D为基础，再融合3D的垂直堆栈的封装方法。外界期待，三星若将3.5D技术投入量产，有望抢占新一代封装市场的主导权。

SK海力士方面，正致力发展新一代封装技术“混合键合”技术。从技术面来看，混合键合技术可进一步缩小键合间距，因此有提高I／O密度、频宽密度，以及降低功耗等优点。SK海力士也透露，SK海力士的混合键合技术已有一定良率，预计2025~2026年实现商用化。