全球首家量产3纳米芯片公司诞生：已开始大规模生产3纳米芯片

韩国三星电子周四宣布，公司已经开始大规模生产3纳米芯片，是全球首家量产3纳米芯片的公司。

三星在官方声明中表示，公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片。与前几代使用FinFET的芯片不同，3纳米芯片采用了新的 GAA(Gate All Around)晶体管架构，该架构大大改善了功率效率。与传统的5纳米芯片相比，第一代3纳米芯片工艺可以降低45%的功耗，提高23%的性能，并减少16% 的面积。而第二代3纳米芯片工艺则可以降低50%的功耗，提高30%的性能，面积减少35%。

虽然三星没有透露其最新代工技术的客户身份，但市场预计，三星本身和中国芯片设计公司上海磐矽半导体将是3纳米芯片的首批客户。

三星3纳米芯片量产使得其生产进度略快于同行。在同业竞争方面，台积电和英特尔分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产3纳米芯片。

虽然三星是全球第一个生产3纳米芯片的公司，但台积电正计划在2025年实现2纳米芯片的全球首个批量生产。

在本月初的股东会上，台积电董事长刘德音才强调，台积电的先进制程的进展都按照计划发展中，预计2022下半年将量产3纳米芯片。与三星不同的是，台积电将仍采较为成熟的FinFET(Fin Field Effect Transistor，FinFET)工艺。一直到2025年量产2纳米时，才会采用GAA技术。

在市场份额方面，台积电依然牢牢保持的全球市场第一的宝座。根据TrendForce 的数据，目前台积电控制着全球54%的芯片合同生产市场，三星以16.3%的市场份额排名第二。

三星在一份声明中表示，与传统的5纳米芯片相比，新开发的第一代3纳米工艺可以降低45%的功耗，性能提高23%，并减少16%的面积。

不过，这家韩国公司并没有透露其最新代工技术的客户，分析人士认为，三星本身和相关中国企业预计将成为首批客户。

今年早些时候，三星联合首席执行官Kyung Kye hyun曾表示，其代工业务将在中国寻找新客户，因为目前从汽车制造商到家电产品制造商的公司都急于确保产能，以解决全球芯片持续短缺的问题，该公司预计中国市场将出现高增长。

据了解，目前台积电仍然是全球最先进的代工芯片制造商，控制着全球芯片代工市场约54%的份额，主要客户包括苹果和高通等。而据数据提供商TrendForce的数据显示，三星电子以16.3%的市场份额排名第二，遥遥领先于其他对手。该公司还曾于去年宣布了一项171万亿韩元(约合1320亿美元)的投资计划，期望到2030年超越台积电，成为全球最大的逻辑芯片制造商。

“我们将在有竞争力的技术开发方面继续积极创新，”三星公司代工业务主管Siyoung Choi评论道。

虽然三星电子是全球首家量产3纳米芯片的公司，但根据台积电的计划，该公司将在2025年量产2纳米芯片。

分析师对此表示，三星是内存芯片市场的领头羊，但在更加多样化的代工业务上，三星已经被领先者台积电超越，这使得三星很难与之竞争。

Daol Investment & Securities分析师Kim Yang-jae表示，相对于内存芯片，非内存芯片代工业务是不同的，种类也太多了。目前，内存芯片只有两种类型——DRAM和NAND闪存，三星可以专注于这一业务，提高效率并大量生产，但该公司不能在一千种不同的非内存芯片上做到同样的效果。

另外，还有分析人士认为，在过去一年左右的时间里，旧芯片业务的收益率低于预期，也阻碍了三星与台积电的竞争。不过，该公司在今年3月份表示，其运营状况已逐步改善。

韩联社30日报道称，与前几代使用鳍式场效应晶体管(FinFET)的芯片不同，第一代3纳米工艺采用GAA晶体管技术，大幅提升了效能。与三星5纳米工艺相比，第一代3纳米工艺可使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。三星表示，将于明年投入的第二代3纳米工艺可使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

三星电子计划将3纳米制程工艺优先应用于高性能计算(HPC)芯片，再扩大至移动系统芯片(SoC)等。此外，三星电子还计划从2025年开始生产基于GAA的2纳米芯片，力争在先进芯片制造领域赶超台积电(TSMC)。

据调研机构集邦咨询(TrendForce)提供的数据，以今年第一季度为准，台积电的全球市场份额以53.6%位居第一，三星电子以16.3%位居第二。据悉，台积电计划下半年起量产3纳米芯片，再将GAA技术应用于其2纳米工艺。

6月30日消息，三星方面在今日宣布，其公司位于韩国的华城工厂已经开始大规模生产3纳米工艺芯片，三星将成为全球首家量产3nm技术产品的公司。

根据三星官方公布的信息，三星在3nm工艺上采用了全新的GAA(Gate All Around)晶体管架构，相比较于传统的FinFET(鳍式场效应晶体管)架构有所不同。

三星方面表示，与传统的 5 纳米芯片相比，新开发的第一代 3 纳米工艺可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并减少 16% 的面积。而目前三星官方尚未公布此3nm芯片的客户。

台积电方面则将在今年下半年启动3nm工艺的大规模量产，仍将会采用FinFET(鳍式场效应晶体管)架构。

三星电子将在6月30日左右正式发布其3纳米芯片量产消息。三星电子此前公布计划，将在今年上半年量产基于全环绕栅极(GAA)技术的3纳米制程产品，2023年推出第二代3纳米产品，2025年量产2纳米产品。

三星称，与现有的FinFET工艺相比，GAA技术将使芯片面积减少45%，同时性能提高30%，功耗降低50%。

今年5月美国总统拜登访韩时参观了三星的平泽工厂，三星向其展示了该公司的3纳米芯片。