2022～2023年台积电在台湾兴建11座12吋晶圆厂，工艺领先海外厂两代

2018～2022年的7nm及更先进制程产能年复合成长率（CAGR）高达70％。

受客户端在7nm及更先进工艺的需求增长，台积电在上周召开的技术论坛中指出，2022～2023年将在中国台湾兴建11座12吋晶圆厂，并扩建竹南AP6封装厂以支持3DIC先进封装需求。

根据台积电技术论坛报告显示，位于南科Fab 18厂区的P5～P9厂等共5座12吋厂兴建计划已启动，将成为3nm主要生产重镇。为2nm量身打造的Fab 20厂区确定落脚竹科的宝山园区，包括P1～P3厂等共3座12吋厂会在明年前启动建厂，P4厂预期2024年之后开始兴建。

目前台积电已有的12吋晶圆厂包括：

• 台积总部及晶圆十二A厂
• 研发中心及晶圆十二B厂
• 晶圆十四厂
• 晶圆十五厂
• 台积电 (南京) 有限公司及晶圆十六厂
• 晶圆十八厂

台积电扩产主力仍以先进工艺为主，2018～2022年的7nm及更先进制程产能年复合成长率（CAGR）高达70％，且2022年5nm产能已达2020年量产第一年的四倍。

2022年启动5座新厂建设

晶圆代工大厂台积电内部规划，今年全球五座新厂包含：

• 第一个是今年4月动工的日本熊本晶圆23厂，该厂预计2024年投产，总投资将达到约 86 亿美元，日本政府支持约 40% 的成本。
• 第二个是中国台湾竹科宝山2纳米晶圆20厂在今年4月陆续启动土地租赁程序，一般预料可在6月取得2纳米厂预定地。
• 第三座是高雄晶圆22厂。台积电去年11月9日宣布高雄新厂投资案，将在当地建立生产7纳米及28纳米制程的12英寸晶圆厂，该厂预计2022年开始动工，2024年量产。
• 第四座是南科晶圆18厂3纳米将迈入量产以及后续扩充。
• 第五是南京晶圆16厂的成熟制程扩充。

海外建厂要落后台积电最先进技术两代

6月8日，台积电在股东大会上表示，台积电已经预留了400-440亿美元用于扩建和设备升级，并预计在2023年还会在这些方面支出超过400亿美元，目的是使台积电能够保持技术快速发展和满足最前沿的未来需求。
台积电就有有一条不成文的规定，凡是在海外地区建厂，一般都要落后台积电最先进技术两代。目前，台积电即将量产3nm制程的芯片，有望在2024年试产2nm芯片，而台积电在美到2024年才量产5nm制程的芯片。也就是说，台积电仍在坚持这一政策。