特殊型 DRAM 下半年价格侵蚀超出预期

特殊型 DRAM 下半年价格侵蚀超出预期！机构减码南亚科、力积电

库存上升、需求减缓迫使供应商改变谈判价格，特殊型 DRAM 价格应进一步修正，中国台湾南亚科也对下半年特殊型 DRAM 市场持保守态度，估价格季减 5%。美系机构出具最新报告指出，特殊型 DRAM（Specialty DRAM）价格环境面临挑战，价格侵蚀幅度出乎华尔街预期，将南亚科、力积电评等“劣于大盘”，并调降 EPS 和目标价。美系机构预估，消费型 DRAM 定价环境趋向疲软，对南亚科、力积电产生负面影响，将南亚科目标价从 65 元降至 48 元，力积电从 40 元下修到 35 元，同时下调目标价，反映定价压力对盈利能力造成压力。

此外，这两间公司明年将大规模扩张，高额的资本支出应导致成本和折旧增加。

至于消费型 DRAM，美系机构认为，DDR3 对 DDR4 价格溢价无法一直持续，目前规格相同的消费型 DDR3 交易价较消费型 DDR4 高出 13%，使 DDR3 客户开始转向 DDR4。有鉴于上一次 DDR3 对DDR4大幅溢价 32% 是出现在去年 3 月，意味着 DDR3 现货价格的巅峰已出现，也将开始翻转。

SK海力士和三星停止生产 1Gb 和 2Gb 产品，降低 DDR3 生产的风险，但美系机构解读，这不代表放弃了消费型 DRAM 市场，而是转移至 DDR4、4Gb 产品。长远来看，中国大陆半导体本土化将成为长期趋势，部分影响南亚科、力积电等较弱的记忆体商。