采用8x10 QFN低电感封装，Tagore泰高合封氮化镓半桥芯片TTHB100NM问世

前言

氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙复合半导体材料，电压耐受能力比传统硅材料高很多，而且不会影响导通电阻性能，因此可以降低导通损耗。此外，GaN产品的开关能效也比硅基晶体管高，从而可以取得非常低的开关损耗。开关频率更高意味着应用电路可以采用尺寸更小的无源器件。

所有这些优点让设计人员能够减少功率变换器的总损耗（减少热量），提高能效。 因此，GaN 能更好地支持电子产品轻量化，举例来说，与目前随处常见的充电器相比，采用GaN 晶体管的PC机电源适配器更小、更轻。

泰高技术的首席产品运营官 Tino Pan 表示：“基于 GaN 的产品商用已经是功率半导体的下一个攻坚阶段，我们准备好释放这一激动人心的技术潜力。今天，泰高技术发布了合封氮化镓半桥功率芯片的新系列的首款产品，为消费、工业和汽车电源带来突破性的性能。

泰高TTHB100NM登场

半桥电路是电力电子行业的重要基础，广泛应用在智能手机和笔记本充电器，电视，太阳能电池板，数据中心和电动汽车等场景中。面对不断增长的市场，TagoreTech 泰高技术推出了一款集成驱动的合封氮化镓半桥功率芯片TTHB100NM，下面充电头网为大家介绍一下这款新品的特点。

泰高技术 TTHB100NM 是一款集成2颗增强型氮化镓650V 100mΩ 氮化镓开关管及对应的驱动器的半桥功率芯片，用于高侧、低侧和电平转换。它内置了UVLO（欠压锁定）、过温和带故障输出信号的过电流保护，芯片内集成了用于高侧的启动电源。

泰高技术 TTHB100NM 组成的氮化镓半桥，改为一颗器件取代，大大减小适配器初级元件数量和面积。

泰高技术 TTHB100NM 具有12V~20V的宽电源工作范围，可应用在DC–DC转换、逆变器、手机/笔记本充电器、LED/电机驱动、图腾柱无桥PFC 应用、高频LLC转换器、服务器/AC-DC电源、有源钳位反激等场景中。

泰高技术 TTHB100NM 芯片采用低电感8mm×10mm QFN封装，低电感封装的集成驱动器允许在高压和高频中安全运行。开关频率高达2MHz，传输延迟低至50ns，支持50V/ns dV/dT 抗扰度。

上图为泰高 TTHB100NM 功率芯片的引脚说明图，芯片采用外接电阻控制转换速率以抑制电磁干扰，可通过具有TTL和/或CMOS阈值的PWM信号（单端或差分）运行。

深圳市泰高技术有限公司主要从事基于第三代半导体 硅（Si）基氮化镓 及 碳化硅（SiC）基氮化镓技术的集成电路研发和销售，所研发的氮化镓芯片已经被超过 60 家欧美国际大公司及30家国内大公司的采用。

TagoreTech 泰高技术的研发团队源于德国公司英飞凌, 其芯片设计中心位于美国芝加哥（Chicago），另外在印度设有研发分部，全球研发人员有 50 位以上， 其中超过 80% 研发人员拥有博士学历。研发团队的背景主要在射频氮化镓领域深耕超过 10 余年，具有卓越的芯片设计能力。

TagoreTech 泰高技术现有产品包括 RF 射频开关（GaN-On-Si 宽带技术） 、 射频高功率放大器（GaN-On-SiC DHEMT 技术）、电源功率芯片（GaN-On-Si EHEMT 技术）和 射频低噪声放大器（GaAs 技术） 四大系列，技术处于国际领先水平。

TagoreTech 泰高技术专注于AC-DC中高功率氮化镓产品设计，已和onsemi / NXP / JWT / Silergy / KIWI / Southchip / Ismartware等半导体品牌成为重要合作伙伴。为了中高功率的产品可靠性测试，2022年4月泰高技术与航天科创检测有限公司签署合作，建立联合实验室；将使用国家级设备为AC-DC中高功率氮化镓产品提供高可靠性验证机制。

“泰高, 让设计变简单”是我们理想，实现这个理想得益于我们通过精巧的布局，使得工程师更加便捷设计，为产品更高效、更小、更可靠的全新解决方案带来更多可能。

充电头网总结

TagoreTech 泰高技术推出的集成驱动的合封氮化镓半桥功率芯片 TTHB100NM，专为半桥架构的开关电源设计。TTHB100NM 采用的 8x10mm QFN封装，相比两颗传统的8*8的GaN开关管加上独立的驱动器，占板面积大大缩小。同时合封器件也大大减小了寄生效应对效率的影响，提高电源产品的效率和可靠性。泰高技术 TTHB100NM 芯片，将于 2022 年第三季度提供样品。