三星电子全球首个GAA 3纳米半导体宣布量产，第二代工艺有望2023年商业化

据韩媒报导，三星电子CEO Jong-hee Han, Gye-hyun Kye 30日宣布，已开始量产3nm GAA工艺半导体代工生产。三星电子是目前唯一一家将 GAA 技术 3nm 工艺商业化的代工厂。

第一个客户是高性能计算 (HPC) 系统半导体公司。三星电子计划扩大其客户群以包括移动片上系统 (SoC)。

该产品的特点是GAA技术和3nm工艺同时应用。与5nm FinFET工艺相比，3nm GAA第一代工艺具有功耗降低45%、性能提升23%、面积缩小16%的效果。

三星电子计划通过加强 PPA （功率性能区域）和单位功率性能（电比）来引领下一代代工市场。它为Synopsys 和Cadence 等SAFE 合作伙伴和客户提供半导体设计基础设施和服务。这是为了减少产品开发时间并支持提高完整性。

与此同时，三星电子正在为 GAA 3nm 第二代工艺做准备。与5nm FinFET工艺相比，2代工艺有望降低50%的功耗，提升30%的性能，减少35%的面积。明年将实现商业化。