三星宣布3纳米GAA量产 未公布良率与客户名单

综合韩媒朝鲜日报、Money Today，以及三星官方消息，三星3纳米GAA制程采三星独家多桥通道场效晶体管(Multi Bridge Channel FET；MBCFET)GAA技术，与既有的5纳米制程相比，此次三星开发的3纳米制程可以降低45%功耗，提高23%效能，并能减少16%面积。此次量产3纳米制程将用于高效能运算用系统半导体，之后计划扩大应用至智能手机用的系统单芯片(SoC)等，传目前三星已确保多家客户。

从技术方面来看，GAA较现有的FinFET，可望减少芯片的面积、功耗，不过目前台积电、英特尔(Intel)等业者大多稳紮稳打，优先导入3纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程。然而三星曾多次表示将在2022年上半量产全球首个3纳米GAA制程，虽然各界盛传三星可能无法克服技术门槛，但最后三星如期宣布3纳米量产，成为全球首个采用3纳米GAA技术的企业。

值得观察的是，三星3纳米GAA制程进入量产阶段，虽顺利展现技术领先优势，但实际良率仍未可知，倘若三星无法稳定供应产品，尽管技术抢先业界一步，也难取得客户的信任。先前三星引入4纳米制程时，外界曾指三星良率落后于台积电，此次三星欲以3纳米GAA制程扳回一城，能否充分提高良率将成逆转关键。不过三星电子相关人士仅透露，三星正在迅速提高良率。

2022年第1季晶圆代工市场中(以销售额爲准)，台积电市占率为53.6%，三星为16.3%，差距仍相当明显。台积电3纳米仍采FinFET技术，预计更先进的2纳米芯片才会引入GAA技术。