三星3纳米即将「量产」 客户、良率先被揭露

韩媒首尔经济的最新消息指出，三星应于6月30日宣布3纳米GAA制程量产。GAA较现有的FinFET，可望减少芯片的面积与功耗，这意味三星如期于2022年上半，兑现量产3纳米GAA承诺，技术进程将领先台积电；台积电预计2022年下半量产3纳米，至2纳米制程时再导入GAA。

近日有传言指三星3纳米良率已达30%多，先前传言多半低于30%。不过如此良率仍离业界标准甚远，令人怀疑三星能否成功「量产」3纳米。SBS Biz最近报导，三星这次发表3纳米量产，很可能一并公布良率与客户。

据韩媒Theelec消息，三星最快本周展开3纳米「试生产」， 首家客户是国内大陆比特币挖矿ASIC芯片业者PanSemi。

传三星也从高通(Qualcomm)收到部分3纳米订单的「保留预订」(reserve)，显示高通仍然可随时下单三星3纳米。此举被视为高通的应变策略，提防台积电3纳米如果出问题，高通可以回头找三星代工生产。此前，传高通曾尝试采用三星3纳米制程生产移动应用处理器(AP)，但三星未能满足良率要求，高通因此将订单委托台积电。

过去一段时间以来，三星不断强调会如期于2022年上半，量产全球首个3纳米GAA制程，但是传此次生产可能接近试生产，非一般业界普遍指称的量产。尽管如此，这对于全球首个采用3纳米GAA技术的三星而言，仍然别具意义。

虽然日前有韩国证券分析师爆料，指三星3纳米良率提升的速度很快，但业界专家多认为，良率提升过程其实相当复杂，谁能率先提高良率，就会比竞争对手获得更多优势。初期业者多以60～70%良率为努力目标，但是随着利润逐渐下滑，唯有加快脚步将良率提升至80～90%，才是决定真正输赢的最终关键。