工艺角是什么？HPLP7T9THVTLVTTrack都是什么意思？

工艺极限

TT: Typical Typical

FF:  Fast nmos Fast pmos

SS: Slow nmos Slow pmos

ss、tt、ff分别指的是左下角的corner，中心、右上角的corner。各种工艺角和极限温度条件下对电路进行仿真是决定成品率的基础。

如果采用5-corner model会有TT,FF,SS,FS,SF 5个corners。如TT指NFET-Typical corner & PFET-Typical corner。其中, Typical指晶体管驱动电流是一个平均值，FAST指驱动电流是其最大值，而SLOW指驱动电流是其最小值（此电流为Ids电流）这是从测量角度解释，也有理解为载流子迁移率(Carrier mobility)的快慢。载流子迁移率是指在载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。

单一器件所测的结果是呈正态分布的，均值在 TT，最小最大限制值为SS与FF。对于工艺偏差的情况有很多，比如掺杂浓度，制造时的温度控制，刻蚀程度等，因此造成了同一个晶圆上不同区域的情况不同，以及不同晶圆之间不同情况的发生。

PVT (process, voltage, temperature)

设计除了要满足上述5个corner外，还需要满足电压与温度等条件, 形成的组合称为PVT (process, voltage, temperature) 条件。电压如：1.0v+10% ,1.0v ,1.0v-10% ; 温度如：-40C, 0C 25C, 125C。设计时还常考虑找到最好最坏情况. 时序分析中将最好的条件(Best Case)定义为速度最快的情况, 而最坏的条件(Worst Case)则相反。最好最坏的定义因不同类型设计而有所不同。最坏的延迟也不都出现在SS。

根据不同的仿真需要，会有不同的PVT组合。

噪声(noise)与串扰(crosstalk) 似乎需要另外考虑。

1. 内连线情况。 制造对互连线造成的影响，如：R_typical C_typical, R_max C_max, R_max C_min, R_min C_min

2. 工作模式。如：function mode, scan mode, sleep mode

由于偏差的存在，不同晶圆之间，同一晶圆不同芯片之间，同一芯片不同区域之间情况都是不相同的。造成不同的因素有很多种，这些因素造成的不同主要体现：

1，IR Drop造成局部不同的供电的差异；

2，晶体管阈值电压的差异；

3，晶体管沟道长度的差异；

4，局部热点形成的温度系数的差异；

5，互连线不同引起的电阻电容的差异。

HVT/SVT/LVT的意思？

HVT：high Vt

SVT：Standard Vt（也有称为Regular Vt，即RVT)

LVT：low Vt

阈值电压越低，因为饱和电流变小，所以速度性能越高；但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。

STD Cell 7T/9T/12T

T，代表track；可以认为是单元库的版图高度单位。

标准单元库的单元高度，基本都是固定的，方便版图的布局；高度，通常以track作为计量单位，即用M2 track pitch来表示。

固定的高度方便EDA工具做placement，一般STD PIN 都会出在对应track上，这样的版图方式也是方便EDA工具进行Route，各层金属走线都会沿着track上进行绕线。

pitch =minSpacing+minWidth = track 的space。所以绕线可以规避DRC的space与Width问题。

grid：工艺制造精度相关的名称。一般体现工艺在版图上的最小精度，不同的layer可能有不同的grid 值。

部分内容参考CSDN：https://blog.csdn.net/u011729865/article/details/53488431/