三星3nm将反超台积电？

6月22日消息，据国外媒体报道，5nm制程工艺量产已有两年的台积电和三星电子，都在全力推进3nm工艺的量产，两家公司都计划在今年量产。

而据消息人士透露，三星将在下周对外公布，率先量产环绕闸极技术(GAA，Gate-all-around)架构的3nm制程。如果三星电子真如外媒报道的那样，在下周宣布3nm工艺量产，他们在这一制程工艺上，就将先于台积电实现量产。台积电的3nm工艺在去年开始风险试产，正按计划推进在今年下半年量产。

韩美两国领导人签署的3纳米半导体晶圆原型

实际上，6月21日韩国媒体BusinessKorea就曾报道称，由于良率远低于目标，三星3纳米芯片量产将再延后。但22日上午，三星否认了这一传言。

在竞争激烈的3nm制程工艺方面，三星电子和台积电的技术路线并不相同，三星电子率先采用全环绕栅极晶体管（GAA），台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。

据悉，GAA工艺与现有的FinFET工艺相比，可减少芯片面积和消耗的电力，更加准确地控制电流，性能将提升30%，能耗降低50%，逻辑面积效率提升超过45%。目前FinFET工艺仅能接触到晶体管的三面，GAA工艺对半导体晶体管结构进行改进，使栅极可接触到晶体管的四面。

此外，与5纳米工艺相比，三星3纳米工艺将半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%，同时芯片面积减少了35%。

此前TrendForce的研究数据显示，三星电子2022年第一季度的代工销售额为53.28亿美元，较去年第四季度下降3.9%，也是全球前十大代工厂中唯一一家在第一季度销售额落后的厂商。