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来源:化合物半导体市场发布时间:2022-06-211355浏览
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1200V 1040A高功率SiC模块
Source:比亚迪半导体
据悉,相较于市场主流的SiC功率模块,1200V 1040A SiC功率模块成功克服了模块空间限制的难题,在不改变原有模块封装尺寸的基础上将模块功率大幅提升了近30%,主要应用于新能源汽车电机驱动控制器。它突破了高温封装材料、高寿命互连设计、高散热设计及车规级验证等技术难题,充分发挥了 SiC 功率器件的高效、高频、耐高温优势。后续将匹配更高功率新能源汽车平台应用。

功率模块封装中几种上表面工艺的优劣对比
Source:比亚迪半导体
此外,该模块采用了双面烧结工艺,即SiC MOSFET上下表面均采用烧结工艺进行连接,具备更出色的工艺优势与可靠性,相比传统焊接工艺模块,连接层导热率最大可提升10倍,可靠性更是可提升5倍以上;芯片上表面采用烧结工艺,因烧结层具有的高耐温特性,SiC模块工作结温可提升至175℃,试验证明,其可靠性是传统工艺的4倍以上。
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