英诺赛科欧洲研发中心入驻比利时“氮化镓谷”

据化合物半导体市场了解，GaN龙头企业英诺赛科已在欧洲比利时氮化镓谷（GaN Valley）设立了新的研发中心，欧洲市场扩张计划落下实锤。

新研发中心位于比利时鲁汶（Leuven, Belgium），邻近IMEC微电子研究中心及鲁汶大学（KU Leuven），前者是业内高度认可的先进半导体技术研究中心，后者在电力电子领域的动态享誉盛名，而英诺赛科新研发中心则成为比利时“氮化镓谷”的最新成员。

研究中心副总裁Jan Šonský博士将负责GaN功率器件的各项研究活动，并与总部研发团队保持紧密协作，共同引领下一代技术的发展。

据悉，Jan Šonský博士毕业于荷兰代尔夫特理工大学（Delft University of Technology），在半导体行业拥有20年的研发经验，深受半导体行业的认可。他曾就职于另一家半导体领先企业，致力于推动GaN和Si技术在移动应用和汽车应用市场的发展，并获得技术突破。

外媒报道，此番入驻比利时“氮化镓谷”，英诺赛科旨在吸引优秀人才来践行其雄心勃勃的GaN技术发展战略，助力英诺赛科成为GaN功率半导体解决方案领域不可否认的领头羊。

据了解，英诺赛科100%投身于GaN市场，产品覆盖高压（650V）和低压（30-150V）等规格，面向消费快充、新能源汽车、数据中心等终端应用市场，产品性能表现突出。在此基础上，英诺赛科持续加大研发投入，旨在保持技术领先。就今年来看，英诺赛科已在两大国际展会上展示了其最新的“黑科技”。

在3月的美国APEC会议上，英诺赛科重点展示了快充、笔记本电脑、车载充电器、数据中心、LED电源等多款GaN参考设计方案（Demo）。其中，专为数据中心电源应用设计的600W 48-12V 1MHz方案，功率密度和效率分别达2100W/in3、97.9%。

在5月的德国PCIM展会上，英诺赛科展出了一款65W ACF参考设计解决方案，功率密度为30W/in3。据介绍，在230V电压下，该参考设计的效率可达94%以上，无负载功耗低于25mW。当时，英诺赛科表示，公司即将推出高功率多端口参考设计方案。

通过设立欧洲研发中心，英诺赛科预期将开发出更小尺寸、性能更好、可靠性超高的GaN器件产品。未来，欧洲研发中心将聚焦于提升英诺赛科的GaN器件核心技术，改善产品性能和可靠性，以确保英诺赛科始终站在GaN未来技术创新领域的最前沿。