台积电2纳米2025年量产 首座全自动先进封装厂2H22启动

台积电2022年北美技术论坛恢复实体形式，于美国时间16日在加州圣塔克拉拉市召开，会中揭示先进逻辑技术、特殊技术、以及3D IC技术最新成果，首度推出采用纳米片晶体管的下时代先进N2制程技术，以及支持N3与N3E制程的TSMC FINFLEX技术。

台积电总裁魏哲家表示「我们身处快速变动、高速成长的数码世界，对于运算能力与能源效率的需求较以往增加得更快，为半导体产业开启前所未有的机会与挑战。」台积电在技术论坛揭示的创新成果彰显技术领先地位，以及支持客户的承诺，论坛主要的技术焦点包括：

支持N3及N3E的TSMC FINFLEXTM技术：N3技术预计于2022年下半进入量产，并将搭配TSMC FINFLEX架构，提供芯片设计人员更佳的设计弹性。TSMC FINFLEX技术提供多样化的标准元件选择：3-2鳍结构支持超高效能、2-1鳍结构支持最佳功耗效率与晶体管密度、2-2鳍结构则是支持平衡两者的高效效能。TSMC FINFLEX架构能够精准协助客户完成符合其需求的系统单芯片设计，各功能区块采用最优化的鳍结构，支持所需的效能、功耗与面积，同时整合至相同的芯片上。

N2技术：台积电N2技术自N3大幅往前推进，在相同功耗下，速度增快10~15%，或在相同速度下，功耗降低25~30%，开启高效效能的新纪元。N2 将采用纳米片晶体管架构，使其效能及功耗效率提升一个时代，协助客户实现下一代产品的创新。除了移动运算的基本版本，N2技术平台亦涵盖高效能版本及完备的小芯片整合解决方案。N2预计于2025年开始量产。

扩大超低功耗平台：台积电于2020年技术论坛揭示N12e技术，奠基于此项技术的成功，目前正在开发下一时代N6e技术，主要提供边缘人工智能及物联网装置所要求的运算能力及能源效率。N6e将以7纳米制程为基础，其逻辑密度可望较N12e多3倍。N6e将成为台积电超低功耗平台的一环，此平台完备的组合涵盖逻辑、射频、类比、NVM、及PMIC解决方案，支持边缘AIoT应用。

TSMC-3DFabric三维矽晶堆叠解决方案：一是全球首颗以 TSMC-SoIC为基础的中央处理器，采用芯片堆叠于晶圆之上(Chip-on-Wafer；CoW)技术堆叠三级快取静态随机存取存储器；二为创新的智能处理器，采用晶圆堆叠于晶圆之上(Wafer-on-Wafer；WoW)技术堆叠于深沟槽电容芯片之上。

支持CoW及WoW的N7芯片已经量产，N5技术支持预计于2023年完成。为满足客户对于系统整合芯片及其他3DFabric系统整合服务的需求，全球首座全自动化3DFabric晶圆厂预计于2022年下半开始生产。

另外，台积电研发资深副总经理米玉杰于会中也透露，台积电将于2024年引进ASML新一代高数值孔径极紫外光(High-NA EUV)微影设备(EXE:5200)，但未说明该设备将在何时用于量产时程。台积电业务开发资深副总经理张晓强稍后做出澄清，表示不会在2024年准备好将新的高数值孔径EUV微影设备用于生产，该设备将主要用于与合作夥伴研究之用。

责任编辑：张兴民