ST携手MACOM 达成射频矽基氮化镓原型晶片性能新里程

意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。

射频矽基氮化镓为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力。早期世代的射频功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用横向扩散金属氧化物半导体（Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor，LDMOS）射频功率技术，氮化镓（GaN）可为射频功率放大器带来更优异的射频特性及更高的输出功率，而且GaN可以制造在矽晶圆或碳化矽（SiC）晶圆上。然而，在高功率应用与射频矽基氮化镓对SiC晶圆的竞争下，加上其非主流的半导体制程，射频矽基氮化镓的成本可能更高。意法半导体和MACOM正在研发的射频矽基氮化镓技术有望提供具有竞争力的性能，透过整合至标准半导体制程中以实现巨大规模的经济效益。

意法半导体制造的原型晶片和元件已成功达到成本和性能目标，能够与市面上现有的LDMOS和GaN-on-SiC技术有效竞争，并且即将进入下个重要阶段——认证测试与商业化，此为，意法半导体计划将于2022年达成此一里程碑。因取得这次傲人的进展，意法半导体与MACOM已开始讨论进一步扩大研发，加速先进射频矽基氮化镓产品上市。

意法半导体功率电晶体子产品部总经理暨执行副总裁Edoardo Merli表示，「我们相信该技术的性能等级与制程之成熟度现在已经能与LDMOS及射频碳化矽基氮化镓竞争，并且为无线基础建设等大规模应用带来成本效益与供应链之优势。射频矽基氮化镓产品的商业化是我们与MACOM合作的下一个重要目标，随着合作专案持续进行，我们期待能充分开拓此技术的潜力。」

MACOM总裁暨执行长Stephen G. Daly则表示，「我们在推动矽基氮化镓技术商业化及量产持续取得良好的进展。与意法半导体的合作是我们射频功率策略的重点，相信可以透过矽基氮化镓技术满足技术要求的目标应用领域以获得更高市占率。」