罗姆在印度开设全新全球应用中心，提高尖端SiC功率器件的性能

近日，罗姆在印度Bagmane 科技园区开设了最新的全球应用中心(GAC)。

该中心专注于开发参考设计，并将支持罗姆在印度的全球运营。考虑到印度拥有的优秀工程师、技术和合作伙伴生态系统，罗姆决定投资该中心。

GAC成立于2021年年中。除了目前的LSI开发部门、应用工程部门、电力晶体管研发部门和销售和市场部门，罗姆计划通过雇佣几十名电力电子工程师和扩大实验室来满足超过10kW的应用，投资于这个新的中心。

罗姆表示，GAC将致力于各种应用程序和构建拓扑，例如高功率系统拓扑参考设计，以最大限度地提高尖端SiC功率器件的性能。此外，GAC计划开发数据中心、基站的电源参考设计，以及电动汽车车载充电器和充电站的参考设计。

值得注意的是，2021年12月，当地印度半导体企业Ruttonsha，成功收购了Visicon Power Electronics的100%股权，工厂预计2022财年开始生产，印度或将迎来第一家SiC工厂。

据了解，两家公司都从属于Silicon Power。（文：化合物半导体市场 Arely整理）

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