CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模块问市

该可扩展平台中的第一款产品是一个三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模块，它具有低导通损耗特性，导通电阻为3.25毫欧(mOhm)，同时具有低开关损耗特性，在600V/300A时导通和关断能量分别为8.3mJ和11.2mJ。相比最先进的IGBT功率模块，其将损耗降低了至少三倍。新模块通过一个轻质的铝碳化硅(AlSiC)针翅底板进行水冷，结到流体的热阻为0.15°C / W。该智能功率模块可承受高达3600V的隔离电压(经过50Hz、1分钟的耐压测试)。

内置的栅极驱动器包括3个板载隔离电源(每相1个)，可提供每相高达5W的功率，从而可以在高达125°C的环境温度下轻松驱动频率高达25KHz的功率模块。高达10A的峰值栅极电流和对高dV/dt(> 50KV/µs)的抗扰性可实现功率模块的快速开关和低开关损耗。还具备欠压锁定(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)、去饱和检测和软关断(SSD)等保护功能，以确保一旦发生故障时可以安全地驱动功率模块并提供可靠的保护。