一文读懂封装测试工艺（超全超详细）

封装形式的发展

SGNEC现有封装形式

封装

形式

SSIP

SOP

SOJ

TSP

QFP

数量

7P-9P

20P

-42P

-54P

44P

尺寸

(mail)

-

300-375

300-400

400

10*10

间距

(mm)

2.54

1.27

1.27

0.8

0.8

重量

(g)

0.47-0.59

0.28-0.48

0.75-1.7

0.54

0.54

SGNEC组立发展过程

组立流程

划片工艺

🔺从设备上区分有：金刚石划片和激光划片两种。由于激光划片设备昂贵，金刚石划片是目前较为流行的。

半切作业流程

全切作业流程

划片刀

划片外观检查

划伤：划伤是由于芯片表面接触到异物：如镊子，造成芯片内部的AI布线受到损伤或造成短路，而引起的不良。

缺损：缺损是由于芯片的边缘受到异物、或芯片之间的撞击，造成边缘缺损，有可能破坏AL布线或活性区，引起不良。

崩齿：由于大圆片为Si单晶体，在划片时就不可避免的形成崩齿，崩齿的大小与划片刀的种类有关，崩齿过大造成缺损。

粘污：粘污就是异物附在芯片表面，如：Si屑，会造成内部的短路等。

扩散：在扩散工序产生的不良，如：图形不完整等不良，也要在PMM工序予以去除。

划片参数

型号：崩齿、划伤、裂纹本身的寿命。

转速：缺损、崩齿。

速度：划片轨迹、崩齿、缺损。

方式：粘划片方式有向下、向上两种模式，对芯片表面及背面的崩齿（缺损）有影响。

高度：芯片背面Si屑、崩齿的情况有影响。

粘片工艺

封共晶合金法示意图

银浆粘片示意图

胶带粘片示意图

芯片的提取

粘片的工艺控制

①粘片的位置：使键合识别稳定。

②银浆饱和度：保证粘片的强度。

③粘片机械度：芯片的固着强度。

④芯片外基准：粘污，划伤，缺损。

⑤芯片的方向：在芯片胶带的接着强度。

键合工艺原理

键合工艺的控制

金球压着径

金球压着厚度

金线高度

金线拉断强度

金球剥离强度

键合主要不良项目

包装入库

包装的主要目的：保证运输过程中的产品安全，及长期存放时的产品可靠性。因此对包装材料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都有一定的要求。