英飞凌扩展CoolSiC系列高电压产品 符合1500 VDC应用需求

高功率密度的需求日益成长，因此推动了开发人员在其应用中采用1500 VDC系统规格，以提高每台逆变器的额定功率和降低系统成本。不过，1500 VDC型系统在系统设计上带来更多挑战，例如在高DC电压下快速切换，这通常需要多层次拓扑，因此需要复杂的设计和相对较多的元件数量。

英飞凌扩展CoolSiC系列推出2 kV电压等级产品，为1500 VDC应用带来便利的高功率密度解决方案

为了解决这项问题，英飞凌科技股份有限公司宣布扩展其CoolSiC产品组合高电压解决方案，为新一代的光伏系统、电动车充电及储能系统奠定基础。

扩展的CoolSiC系列包括2 kV碳化矽（SiC）MOSFET以及2kV SiC二极体，适用于高达1500 VDC的应用。全新SiC MOSFET透过单一封装提供低切换损耗与高阻断电压，最能符合1500 VDC系统的需求。

全新2 kV CoolSiC技术可提供低泄极源极导通电阻（RDS（on））值。另外，坚固的本体二极体适合硬切换控制。与1700 V SiC MOSFET相比，这项技术实现足够的过电压裕度，并使宇宙射线造成的FIT率降低10倍。此外，扩增的闸极电压操作范围使元件更易于使用。

新款SiC MOSFET晶片是以英飞凌最新推出的先进SiC MOSFET技术「M1H」为基础。这项新技术可明显扩增闸极电压范围，因此可改善晶片的导通电阻。

同时，增加的闸极电压范围可对闸极控制闸极驱动电路杂散的电压峰值提供高稳定性，即使在高切换频率下，也不会受到任何限制。英飞凌提供一系列EiceDRIVER闸极驱动器，其功能性隔离可达2.3 kV，以支援2 kV SiC MOSFET。

采用EasyPACK 3B与62mm模组的2 kV CoolSiC MOSFET的样品目前已开始供货，之后将推出新款高电压分立式TO247-PLUS封装。此外，英飞凌提供含有2.3 kV隔离功能EiceDRIVER的系列产品设计（design-in eco-system）。

Easy 3B（DF4-19MR20W3M1HF_B11）计划于2022年第3季开始生产，这是一款含有4个升压电路的电源模组，可作为MPPT级1500 V PV串列型逆变器。而采用半桥式组态（3、4、6 mΩ）的62mm 模组将于2022年第4季投入生产。采用近期获奖的.XT互连技术的分立式装置预计将于2022年底上市。