菊厂公开功率半导体器件专利

导读：近日工商信息显示，华为技术有限公司日前新增多条专利信息，其中一条名为“一种功率半导体器件及电子设备”的专利被公开。

图：专利说明

芯片大师曾报道劲爆！HW更新IGBT、芯片封装等多项技术专利。

专利摘要显示，本申请提供了一种功率半导体器件及电子设备，功率半导体器件包括外延层以及两个场效应晶体管，外延层设置有一个沟槽，两个场效应晶体管镜像对称。

每个场效应晶体管包括串联的第一MOS结构和第二MOS结构。第一MOS结构的第一沟道与第二MOS结构的第二沟道沿沟槽的深度方向间隔排列；第一MOS结构的第一栅极和第二MOS结构的第二栅极沿沟槽的深度方向间隔排列。

在上述技术方案中，通过第一栅极和第二栅极沿所述沟槽深度方向纵向排布，从而减少场效应晶体管的横向占用的尺寸。第一MOS结构和第二MOS结构共享漂移区，降低了漂移区的电阻，并通过两个相同的场效应晶体管对称背靠背并联，降低了功率半导体器件单位面积特征导通电阻。