台积电果然还是“留手”了

台积电是全球芯片制造技术最先进的厂商，尤其是在先进制程芯片方面，台积电不仅产能高，关键是良品率也高。

数据显示，全球63%的EUV晶圆都是台积电生产制造，所以，很多国家和地区都想邀请台积电建厂。

但是，台积电的工厂基本上都放在台湾省，在海外基本没有工厂，即便是美邀请台积电建厂，希望其带来最先进的芯片制造技术，台积电还是拒绝了。

由于芯片等规则被修改，台积电才宣布在美建厂，投资120亿美元建设5nm芯片生产线，计划在2024年投产。

台积电宣布在美建厂之后，不好的消息就接连到来，美要求更多芯片在本土生产制造，并将台积电三星等列入所谓的不安全名单；要求台积电等交出相关芯片数据等。

还有就是，台积电在美建厂的成本超出预期，120亿美元根本不够，补贴也迟迟没有到账；

甚至美企要求LG化学交出电池的核心数据，美其名保证电池安全，关键是与日本合作研发2nm芯片，要求发挥各自的优势，从而实现更多芯片在本土生产制造。

从这些消息就能够看出来，美邀请台积电建厂，目的就是想要台积电先进的芯片制造技术，并希望台积电将更多产能放在美，从而进一步掌控先进芯片的产能。

毕竟，ASML大量的工厂在美，其在美生产制造的DUV光刻机也不能自由出货。尽管美的动作较多，但台积电还是留手了，不会让其轻易得逞。

首先，台积电在美建厂计划在2024年投产，而月产能仅为2万片，相比之下，这些产能对于台积电先进制程的芯片产能而言，不值一提。

因为台积电月产5nm芯片晶圆是12万片，预计今年第三季度就能够提升到15万片/月。

另外，台积电还在台湾省积极扩大先进制程的芯片的产能，尤其是7nm以下的芯片产能。

其中，今年续建6座工厂，4座都是在台湾省，主要生产制造7nm、5nm以及2nm等制程的芯片。

今年的资本开支最高440亿美元，这些资金主要都是用于提升先进制程的芯片的产能。

其次，台积电已经开始发展更先进的工艺。

根据台积电发布的消息可知，高性能计算设备对芯片的需求将会持续增加，尤其是5nm等制程的芯片，而台积电5nm芯片的产能仍在不断增加中。

另外，台积电已经正式对外表态，今年后半年就能够量产3nm芯片，2023年就能够正式量产加强版的4nm芯片，2025年量产2nm芯片。

最主要的是，台积电已经展开2nm以下芯片的研发任务，计划开发1.4nm制程的芯片，虽然台积电没有公布详细的时间表，但不会太远。

因为ASML也明确表示现有设备和技术可以支持将芯片制程缩小至2nm以下，台积电2025年量产2nm芯片，1.4nm等芯片的量产估计也就是往后2、3年。

这就是意味着即便是美日联合研发2nm芯片，台积电的芯片制造技术依旧是遥遥领先，而在美建设的5nm芯片生产线因为产能低，对台积电也不会有实质性的影响。

最后，台积电发力先进的封装技术。

据悉，台积电在发展先进芯片制造技术的同时，台积电也在发力先进的封装技术，通过先进封装技术提升芯片的性能。

其中，台积电通过先进的封装技术，实现了7nm芯片性能40%的提升，将7nm芯片发挥到极致；

通过先进的封装技术将两颗M1 Max芯片封装成为M1 Utlra，性能翻倍提升。可以说，先进的封装技术已经成为台积电的另外一张王牌。