【解密】南芯再次推出优秀升降压变换器；小米公开“车辆定位方法”等两项专利；南京江北首单灵雀企业知识产权证券化产品深交所挂牌

1.【专利解密】南芯再次推出优秀升降压变换器

2.小米公开“车辆定位方法”等两项专利

3.中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展

4.储架规模4亿元，南京江北首单灵雀企业知识产权证券化产品深交所挂牌

5.微容科技再获得国家知识产权局授权发明专利

1.【专利解密】南芯再次推出优秀升降压变换器【嘉勤点评】南芯的升降压控制器专利，通过误差电压信号减去电感电流采样信号，并结合两路斜坡补偿信号实现对升降压比较器的翻转控制，从而实现转换器在不同的升降压模式下工作，切换更加平滑，电流纹波和电压纹波更小。集微网消息，南芯推出集成Power MOS同步升降压变换器，支持最大22V的输入及输出电压，无论是输出电压高于、低于或等于输入电压，都能提供出色的电源效率和电压调节，非常适合USB-HUB、移动电源、适配器等应用。升降压DC-DC转换器的应用非常灵活，当输出设定电压低于输出电压的时候，转换器工作在BUCK降压模式，反之为BOOST升压模式，而当输出电压与输入电压接近时，转换器工作在BUCK-BOOST模式，转换器可以根据输入/输出电压大小自动调节工作模式，在上述三种模式下无缝切换，稳定输出。然而现有升降压转换器在BUCK-BOOST模式下的控制比较复杂，且在三种模式间的切换连续度上还有优化空间。为此，南芯于2020年2月20日申请了一项名为“一种升降压DC-DC转换器及控制方法”的发明专利（申请号: 202010103461.7）,申请人为上海南芯半导体科技股份有限公司。图1 升降压DC-DC转换器电路结构示意图图1为本发明提出的一种升降压DC-DC转换器电路结构示意图，其中包括PWM逻辑控制器，功率管Q1、Q2、Q3、Q4的栅极均与PWM逻辑控制器相连，电感L连接于功率管Q2、Q3的漏极之间，比较器COMP1、COMP2的输出端与PWM逻辑控制器相连，减法器输出端与比较器COMP1的正极和比较器COMP2的负极均相连，电流采样电路与减法器的负极相连，误差放大器A1的输出端与减法器的正极相连，斜率补偿电路两路输出端分别与比较器COMP1的负极和比较器COMP2的正极相连，时钟电路与斜率补偿电路相连。其中，电流采样电路的另一端与输入端Vin、输出端Vout或者电感L中的一端相连；时钟电路还与PWM逻辑控制器相连，功率管Q1的漏极与输入端Vin相连，源极与功率管Q2的漏极相连，功率管Q4的漏极与输出端Vout相连，功率管Q4的源极与功率管Q3的漏极相连，功率管Q2、Q3的源极均接地，误差放大器A1的正极接基准电压VREF。转换器还包括反馈模块，模块中包括一端与功率管Q4的漏极相连的电阻R1，以及与电阻R1的另一端相连并接地的电阻R2；其中，电阻R1与电阻R2的连接端与误差放大器A1的负极相连。电流采样电路可以检测输入端Vin输入电流、输出Vout端的输出电流，或者是电感L电流。误差放大器将输出的反馈电压FB和输入的参考电压VREF的差值放大并输出VC1，误差放大信号VC1减去电流采样信号VSNS得到VC2。时钟电路产生时钟信号CLK驱动PWM逻辑控制模块，同时CLK驱动斜率补偿电路。斜率补偿电路输出两路斜坡信号RAMP_BST和RAMP_BCK，两路斜坡信号均包含输入、输出电压信息，其中RAMP_BST斜率为负，RAMP_BCK斜率为正，在周期结束的时候RAMP_BST和RAMP_BCK相交。包含误差放大信号和电流信号的VC2和两个斜坡信号被送至PWM比较器比较输出TRIP_BST和TRIP_BCK，并驱动PWM逻辑控制模块。简而言之，南芯的升降压控制器专利，通过误差电压信号减去电感电流采样信号，并结合两路斜坡补偿信号实现对升降压比较器的翻转控制，从而实现转换器在不同的升降压模式下工作，切换更加平滑，电流纹波和电压纹波更小。南芯凭借其优秀的产品性能，已进入很多国际化知名客户的供应链，销售额持续快速增长。同时，南芯凭借其技术优势，打造出技术领先、品质优异、产品性价比高的“高端中国芯”的领军品牌形象。关于嘉勤深圳市嘉勤知识产权代理有限公司由曾在华为等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人组成，熟悉中欧美知识产权法律理论和实务，在全球知识产权申请、布局、诉讼、许可谈判、交易、运营、标准专利协同创造、专利池建设、展会知识产权、跨境电商知识产权、知识产权海关保护等方面拥有丰富的经验。（校对/holly）2.小米公开“车辆定位方法”等两项专利集微网消息（文/陈薇）5月27日，天眼查App显示，北京小米移动软件有限公司公开了“车辆定位方法、装置、电子设备及存储介质”专利，公布号为CN114543819A。据专利摘要显示，本公开提出一种车辆定位方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取车辆所处场景的图像，图像包括：语义元素，并确定与语义元素对应的元素类别，再采用与元素类别对应的匹配方法对语义元素与地图元素进行匹配，以得到匹配结果，以及根据匹配结果，确定车辆的定位信息。通过本公开，可以实现采用与语义元素的元素类别对应的匹配方法对语义元素与地图元素进行匹配，从而在采用匹配结果确定车辆的定位信息时，能够有效地提升车辆定位的准确性，提升车辆定位方法的鲁棒性和适用性。同时，北京小米移动软件有限公司还公开了“锁止结构和折叠式电子设备”专利，公布号为CN114542583A。据专利摘要显示，本公开是关于一种锁止结构和折叠式电子设备。锁止结构包括用于连接于第一外部构件的支架，设有滑槽。限位组件，包括限位件和用于连接于第二外部构件的滑动件，滑动件滑动设置于滑槽内，限位件活动设置于支架。滑动件设有第一限位部，限位件设有与第一限位部配合的第二限位部。滑动件沿滑槽移动至第一位置，第一限位部与第二限位部限位配合，以将支架与滑动件相互锁止。滑动件沿滑槽移动至第二位置，第一限位部与第二限位部分离，以将支架与滑动件解锁。本公开的滑动件和滑槽采用滑动配合即可实现滑动件和支架相互锁止或解锁，可以在较小的空间内实现有效的锁止功能，可以使整机具有更大堆叠空间，更好的实现整机的轻薄化，提升产品的精致度。（校对/Andy）3.中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展集微网消息，近日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD）。据悉，氧化镓功率半导体器件推向产业化仍然有很多问题，包括边缘峰值电场难以抑制、增强型晶体管难以实现。课题组针对这两个痛点分别做了如下工作：高耐压氧化镓二极管该课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础，设计了结终端扩展结构，并优化退火工艺，成功制备出耐高压且耐高温的氧化镓异质结二极管。该研究采用的JTE设计能够有效缓解NiO/Ga2O3结边缘电场聚集效应，提高器件的击穿电压。最终测试结果表明该器件具有2.5mΩ·cm2的低导通电阻和室温下2.66 kV的高击穿电压，其功率品质因数高达2.83 GW/cm2。此外，器件在250°C下仍能保持1.77 kV的击穿电压，表现出极好的高温阻断特性，这是领域首次报道的高温击穿特性。研究成果发表在ISPSD 2022上。第一作者为中国科大微电子学院博士生郝伟兵，微电子学院龙世兵教授和徐光伟特任副研究员为论文共同通讯作者。增强型氧化镓场效应晶体管该课题组在原有增强型晶体管设计基础上，引入同样为宽禁带半导体材料的P型NiO，并与沟槽型结构相结合，成功设计并制备出了氧化镓增强型异质结场效应晶体管。该器件达到了0.9 V的阈值电压，较低的亚阈值摆幅（73 mV/dec），高器件跨导（14.8 mS/mm）以及接近零的器件回滞特性，这些特性表明器件具有良好的栅极控制能力。此外，器件的导通电阻得到了很好的保持，为151.5 Ω·mm，并且击穿电压达到了980 V。研究成果发表在ISPSD 2022上。第一作者为中国科大微电子学院博士生周选择，微电子学院龙世兵教授和徐光伟特任副研究员为论文共同通讯作者。（校对/小北）
4.储架规模4亿元，南京江北首单灵雀企业知识产权证券化产品深交所挂牌集微网消息，5月26日，“知产助力 灵雀翱翔”江北新区首单灵雀企业知识产权证券化发行敲钟仪式举行。图源：南京江北新区据南京江北新区消息，本次发行的江北科投—绿色担保灵雀知识产权资产支持专项计划是以江北新区“灵雀计划”为切入点，围绕新区自主培育灵雀企业量身打造的知识产权证券化专项计划。本次证券化项目储架规模4亿，首期发行1亿，综合发行利率3.61%，企业综合融资成本仅为3.8%。本项目也是全国首单交易所市场特定信托架构知识产权证券化产品。“灵雀计划”是江北新区自主实施的集产业、科技、金融融合创新发展的先导工程，本次专项计划是创新“灵雀计划”企业培育的又一次探索和尝试。据悉，目前，江北新区有全国最大知识产权质押融资公共服务平台、全国首个知识产权证券化专业平台、知识产权资产数字化平台等一批专业服务载体，为科技企业提供多元融资服务。（校对/小北）5.微容科技再获得国家知识产权局授权发明专利集微网消息（文/林雪莹）5月27日，微容科技发文称，公司再获得国家知识产权局授权的一项发明专利，名为“一种间接检测MLCC介质陶瓷晶格缺陷的方法”。近两个月时间内，微容已获两项发明专利，见证了微容科技在MLCC研发领域中尖端技术的不断突破以及大力投入技术研发的战略布局。MLCC行业现阶段普遍使用贱金属内电极技术在中性或还原性气氛进行烧结，容易产生MLCC介质陶瓷晶格缺陷，导致MLCC的绝缘阻值劣化，影响了MLCC的可靠性。现有检测技术是通过X射线光电子能谱分析测定，但该方法操作复杂且不够直观。在微容研发团队不懈努力下，发明了一种间接检测MLCC介质陶瓷晶格缺陷的方法：用特定测试条件，在不同时间间隔对待测品的电流取值，计算各时刻的绝缘阻值，经历10~200h绝缘抵抗IR趋于稳定无继续下降趋势，间接证明介质陶瓷晶格缺陷补充充分。区别于现有技术，这种检测方法所用检测设备简单，易于操作，测试结果直观且产品可靠性更高，经过测试筛选的产品在后期使用上问题率更低。微容科技基于对高端产品的坚定定位，持续专注地实施研发，将公司的技术研发实力提升到新水平，在中国电子元件协会公布的2021年百强企业中，微容科技研发实力位列国内200多家电子元件企业中的第五位。微容科技表示，良好的研发实力和对产品的专注，让微容在高端MLCC的研发和量产上实现高效能突破，高容量和车规MLCC实现系列化量产，大大提升了公司产品竞争力，带领公司进入高端MLCC的主流厂商阵容。（校对/Andy）

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