消息称，台积电或将绕过2nm，直奔1.4nm制程工艺

据媒体报道，近期业内消息称，台积电或将直接绕过2nm制程，直奔1.4nm工艺技术。

然而，目前尚不清楚台积电将会从哪些方面对1.4nm工艺的几何结构进行设计。荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)称:“在元件方面，目前的技术创新足够将芯片工艺推进到至少1nm节点，包括gate-all-around FET（环绕栅极晶体管），nanosheet FET，forksheet FETs以及complementary FET”。

目前，台积电和三星两家代工厂商一直在先进制程技术上互相竞争。目前为止，开发最小节点的公告来自三星，三星公布了在2025年生产2nm工艺芯片的计划。