华为：3DDRAM成果亮相集成电路国际顶会

外媒报道，华为公司将于集成电路领域顶会-VLSI Symposium 2022上，发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术。
报道称，华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧（IGZO）材料的CAA（Channel-All-Around）构型晶体管，具有出色的温度稳定性和可靠性。根据此前报道，在去年举办的IEDM 2021上，中科院微电子所李泠研究员团队联合华为/海思团队，首次提出了新型垂直环形沟道器件结构（CAA），该结构有效减小了器件面积，且支持多层堆叠，通过将上下两个CAA器件直接相连，每个存储单元的尺寸可减小至4F2，使IGZO-DRAM拥有了密度优势，有望克服传统1T1C-DRAM的微缩挑战。