印度人眼里的中国半导体
来源:芯榜+发布时间:2022-05-191060浏览
询问 AI印度人眼里的中国半导体：取其精华，去其糟粕
如何追赶。
发展中国家往往在广泛的产品和工艺技术方面起步较晚，但他们制定了跨越式、缩小差距的战略，最终要么渴望或确实挑战现任领导者。 例如，在产品领域，虽然韩国（三星）在 1990 年代以动态随机存取存储器（DRAM）起步，但到千禧年末，它已经赶上了中国台湾、新加坡和日本等其他东亚生产商。今天，韩国在内存产品方面处于领先地位。 同样，在先进的半导体制造工艺技术方面，起步相对较晚的中国台湾在 1980 年代借鉴美国（RCA 公司）的 7000 纳米技术节点。作为美国 (US)、欧洲和日本的集成设备制造商 (IDM) 的纯代工替代品，它赶上了世界其他地区。今天，中国台湾以 5 纳米技术在生产中领先，将曾经的先驱抛在了身后。 中国大陆是半导体制造领域的新角斗士。由于其半导体之旅是最近一次攀登珠穆朗玛峰的尝试，它为印度提供了一些重要的经验教训。追赶期间的因素
“追赶”一词主要是指缩小技术领先企业与本土企业之间的技术能力差距。追赶阶段的技术获取策略从伙伴关系或联盟开始，并在购买或技术转让、合作、共同生产和共同开发等各个阶段取得进展。
政府的作用对于追随者追赶全球领导者至关重要。政府可以通过制定针对特定部门的政策来指导这一阶段。政府采取的措施包括初始研发（R&D）支出、保护本土产品和开发人力资本。通过向行业提供知识和合格的人力资本，大学和研究机构等其他非行业参与者的作用对于追随者从追赶阶段过渡也至关重要。
中国半导体行业的发展轨迹
a) 通过向内国际化（1980年代至 1990 年代）迎头赶上，以及b) 通过本土能力追赶（2000 年代至今）。 尽管中国半导体的发展始于 1970 年代通过收购苏联技术，但这些尝试主要是为了粗略的军事需求，并且直到 1980 年代初都与外国公司没有任何联系，并且一直处于孤立和不发达状态。 随着中国与外国企业的接触以及到 1980 年代中期在 33 个制造工厂中建立国有半导体生产线，这种情况发生了变化。但在这33家工厂中，只有华晶集团旗下的无锡742厂由于技术转让合作伙伴东芝的大量支持，实现了每月1万片三英寸晶圆的生产目标，且质量合格。 中国科学院和其他政府附属研究机构的成果都低于标准，它们继续在北京的国有 878 工厂进行研发和制造活动，而上海无线电子的 19 工厂的良率仅为 20-40%（即也就是说，五个芯片中有四个有缺陷），这意味着必须对策略进行大修。 接近 1990 年代，中国转而鼓励与比利时ITT、荷兰飞利浦半导体和日本 NEC 公司等全球公司建立合资企业 (JV)。 1995年，中国最高领导人在参观三星半导体工厂时，对韩国半导体产业的飞速发展感到震惊。他强调，要“不惜一切代价发展中国的半导体产业”。 根据该决议，启动“八五”908项目，以无锡华晶的代工生产线为核心，与美国朗讯科技作为技术合作伙伴进行工艺技术转让、培训工程师、提供IP设计库。 但在工厂上线之前，该项目经历了七年的政府审批。这种在审批、工厂建设和生产线审批方面的消极被证明对项目不利，因为他们生产的产品在生产开始时就已经过时了。 吸取 908 工程的经验教训，“九五”又迎来了 909 工程。通过消除官僚障碍和繁文缛节的政策，动员全国资源支持项目。于是国家支持的上海华虹仅用了两年时间就上线了。它尝试与日本 NEC 建立 IDM 合资企业，将DRAM 芯片推向市场，并成功按时完成。 然而，这种努力并不能促进中国工业的发展，因为中国工厂主要由日本员工处理和管理，与生产过程相比，向中国同行的知识转移极为有限。华虹被迫重组工厂，引入了新的管理层和新的美国合作伙伴 Jazz Semiconductor（该公司在最近被英特尔收购，名字也改为了之Tower-Jazz Semiconductor ）。 华虹与 Jazz Semiconductor 转向纯代工商业模式，并派工程师到比利时 IMEC 接受培训。这些工程师带着技能回国，在本土推进 180 nm 工艺技术。 从 1980 年代到世纪之交的这两个十年，大多是国有企业在半导体行业发力，涉足有限。中国半导体制造商的总产量占全球产量的比例不到2%，其中大部分是跨国公司利用低成本劳动力的封装和测试设施。 综上所述，千禧年末的中国制造业是全球价值链中处于低端、利润微薄的廉价劳动力。这种不断减少的利润和激烈的全球竞争意味着国家支持的消失与 909 计划开始时一样迅速。 在 2000 年代初期，中国通过更雄心勃勃的一系列政策来振兴产业生态系统，通过提供免税期、企业税收减免、基础设施建设的本地化补贴以及在 2003 年制定最重要的国家人才培养项目来支持中国半导体生产商为产业发展提供急需的人力资源。结果中国半导体蓬勃发展，无晶圆公司（制造外包）呈指数级增长，数量从 1990 年微不足道的 15 家到2010 年的 485 家。 2000 年的另一项重大发展是中芯国际 (SMIC) 的成立。这种尝试在这些方面与早期的尝试不同： 中芯国际（在中国政府的支持下）的成立遵循了熟悉的台积电（TSMC）模板；也就是说，它是由一位曾在德州仪器（美国）和台积电工作的外籍台裔美国人建立的。 最初，中芯国际 40% 的技术人员来自中国境外和/或非中国公民。这些工程师大多是台湾人，曾在台积电或联电 (UMC) 等代工厂工作。这些工程师带来了不易编纂的半导体工程的隐性知识。这些知识对于在新公司建立地板知识至关重要。 国通过中芯国际积极争取全球合作伙伴的许可——例如，日本东芝的 130 纳米后端逻辑；新加坡特许半导体公司的 100 nm 逻辑电路；和美国 IBM 的 45 nm Bulk CMOS。 到 2000 年代末，英特尔、三星（内存）、台积电和联电等全球半导体制造商纷纷在中国设立工厂以满足无晶圆厂的需求。 2019年，中芯国际开始14nmFinFET量产；然而，他们 90% 的收入基于 40-250nm 节点，这意味着他们的客户只依赖中国代工厂生产中低端芯片，而不是高级芯片。 尽管中国集成芯片企业在 2000 年代快速增长，但该行业面临激烈的全球竞争，在制造方面未能赶上。他们在和台积电的纠纷中输了也让其备受打击。 中芯国际与台积电在芯片制造方面的技术差距越来越大。随着贸易纠纷的发生，中国在半导体制造方面的进步受到严重阻碍，并被限制在低端芯片领域。此外，中国无晶圆厂企业被迫依赖国外供应先进的高端芯片，这些芯片在高价值进口产品中名列前茅。
要避免的陷阱
官僚的冷水和人才冬天
此外，如果政府机构和大学的国家资助和/或补贴的研发与市场脱节，则发展商业上可行的产品生态系统的可能性是不可能的。
而908 和 909 项目的没那么成功以及 2000 年代的自由放任资本主义方式过分强调通过缺乏与全球公司合作的本土努力来追赶（例如，龙芯 CPU 项目）。这与加入全球生产网络的趋势背道而驰，同时挤占全球供应以满足当地对半导体产品的需求。 如果没有大量资本和技术注入的持续支持，自由市场竞争永远不会让一个新兴行业扎根。例如，由于长期投资带来的巨大财务风险、巨大的初始成本和低回报率，中国的实业家和风险投资家在 2018 年之前很少投资半导体行业。
多年的引进、同化、创新停滞导致的系统惯性使中国长期处于跟随模式。909 计划表明不可能获得最先进的技术。一个人被迫从一个过时的技术开始，作为一种引进，很好地吸收它，然后在吸收的技术的基础上，在前沿进行创新，因为领导者只能保持领导者，直到他们处于创新的最前沿和卓越。
印度将从过去和中国 40 年的经验中谨慎地提防这些陷阱。
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