台积电发力1.4nm！

台积电已经多次明确，3nm将在下半年规模投产。

不过，台积电的3nm依然延续的是FinFET（鳍式场效应）晶体管结构，而非三星那套难度更高的GAA晶体管。然而，台积电明显道行更深，知道当前制程节点命名混乱，谁的良率高显然更能占得先机。

而接下来，台积电似乎不打算糊弄了，甚至要绕过2nm，直奔1.4nm。

BK报道称，台积电3nm研发团队将在6月份全面转投1.4nm节点的开发工作。

对手三星在去年的代工会议上曾预期，2025年将大规模生产2nm制程芯片，没想到又一次被台积电“背刺”了，在三星电子之前启动了1.4nm工艺的开发。

至于同样雄心勃勃的Intel，则打算2024年下半年生产1.8nm工艺产品。一场关乎摩尔定律荣耀的制程“军备竞赛”，再度拉开序幕了。