美光宣告232层3D-NAND即将到来，未来十年的路线图将超过400层

当地时间5月17日，据eeNews报道，美光科技公司表示，它将于今年晚些时候开始出货其下一代 3D-NAND 内存组件，即 232 层设备。

作者｜Aaron    校对｜隐德莱希

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集微网消息，当地时间5月17日，据eeNews报道，美光科技公司表示，它将于今年晚些时候开始出货其下一代 3D-NAND 内存组件，即 232 层设备。

美光负责技术和产品的执行副总裁Scott DeBoer披露了未来十年的3D-NAND路线图，该路线图将超过400层。

在3D-NAND 生产中，美光已经在 96 层和 176 层闪存芯片上占据强势地位。DeBoer 表示，该公司将在 2022 年晚些时候开始增加 232 层闪存的制造规模。这将使该公司在市场上具备明显的领先优势。

该公司展示了一款带有三层单元的1Tbit 3D-NAND存储器芯片，但DeBoer表示，美光的重点将包括保持每个单元4bit的领先地位。

该存储器将包括CMOS下的阵列技术和双堆栈机制。DeBoer还称，与176层的版本相比，232层的版本将提供更高的密度、功率和带宽，性能细节将在后期公布。

此外，基于更高容量3D-NAND器件的固态硬盘预计将在2023年推出。

图源｜网络

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