传三星3纳米制程如期量产 低良率难关已克服

三星电子(Samsung Electronics)将于2022年第2季量产3纳米GAA制程，先前传三星3纳米良率仅20～30%，可能拖累量产进程。然而，近日韩国业界传出消息，指三星3纳米良率问题已获解决，领先台积电量产3纳米已成定局。

据韩国经济TV报导，先前传出三星3纳米良率不及30%，外界纷纷质疑三星能否如期于2022年上半量产3纳米制程。然而，最近传出三星经营高层向董事会报告，表示3纳米良率顺利改善中。

2019年三星宣布2030年系统半导体(含晶圆代工)第一愿景，誓言2030年将成为全球系统半导体龙头，之后便展开更积极的投资。三星继2018年10纳米量产、2019年领先业界量产7纳米制程，以及2020年进入5纳米制程，一路上紧咬台积电。

三星晶圆代工事业部自2017年独立，5年来三星晶圆代工全球市占率，从第四名攀升至第二名，客户数量也翻3倍多。放眼10纳米以下制程，目前可说是由三星、台积电二分天下。

韩国业界专家多认为，3纳米制程可能是三星未来，能否扩大晶圆代工市占率的一个重要转捩点；三星能否领先台积电，率先宣布3纳米制程量产，也牵动台湾与韩国半导体业界的敏感神经。目前传三星已经成功量产3纳米，台积电则以8月量产为努力目标，相较三星3纳米导入GAA，台积电预计2纳米制程导入GAA。

另一方面，最近传出台积电将加速开发1.4纳米制程一事，也在韩国业界引发高度关注，台积电与三星的投资手笔、制程良率、人才培育，以及三星2030年能否成功实现目标等，又不免在业界掀起热议。

责任编辑：张兴民