大家好我是小火，想学习单片机的同学可以关注、私信我或者在评论区回复小火。今天我们就来聊一下GD32与STM32兼容的一些问题，要了解兼容性那么我首先要知道它们的区别。
第一.相同点有以下这些：
外围引脚定义： 相同型号的管脚定义相同
Cortex M3 内核： STM32F103 内核 R1P1 版本, STM32F205 内核 R2P1， GD32 内核 R2P1 版本，此内核修复了 R1P1 的一些 bug
芯片内部寄存器， 外部 IP 寄存器地址 : 逻辑地址相同，主要是根据 STM32 的寄存器和物理地址, 做的正向研发.
函数库文件： 函数库相同，优化需要更改头文件
编译工具和型号命名是完全相同的。
第二.外围硬件区别
电压范围（ADC）： GD32F：2.6-3.6V 。STM32F：2.0-3.6V（外部电压）。
GD32F： 1.2V（内核电压）。STM32F： 1.8V（内核电压）
BOOT 0 管脚： Flash 程序运行时，BOOT0 在 STM32 上可悬空，GD32 必须外 部下拉（从 Flash 运行，BOOT0 必须下拉地）
ESD 参数： STM32 人体模式 2KV,空气模式 500V GD32 人体模式 4KV(内测 5KV),空气模式 10KV(内测 15KV)
第三.内部结构差异
启动时间： GD32 启动时间相同，由于 GD 运行稍快，需要延长上电时间 配置(2ms)
主频时钟： GD32F10 系列主频 108MHZ STM32F10 系列主频 72MHZ
Flash 擦除时间： GD32 是 60ms/page，STM 30ms/page
FLASH 容量： GD32 最大容量 3M Byte
SRAM 空间： GD32F103 系列、GD32F105\107 大容量系列 SRAM 96K
VB 外扩总线 FSMC：GD32 100PIN 配置总线输出，STM32 144PIN 并且 256k 以上 才配置总线输出
第四.功耗区别(我们以128k以下容量的作为讲解)
睡眠模式 Sleep： GD32F： 12.4mA STM32F10X： 7.5mA
深度睡眠模式 Deep Sleep： GD32F： 1.4mA STM32F10X： 24uA
待机模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA
运行功耗： GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M
第五.内部 FLASH 区别
ISP： 擦写时间同 STM32 有差异，使用新版 ISP 软件
IAP： 擦写时间相同，按字写入，按页擦除
存储寿命： 10 万次擦写，数据保存 20 年以上
加密特性： 除了常规的禁止读出和 96 位 ID 号码加密之外，GD32 数据写入 Flash 时，具有存储逻辑地址连续，物理地址不连续的特性。
了解了它们的区别后我们再来说说关于GD32兼容性的具体分析。
第一.关于系统部分的讲解。
1.晶振起振的区别：GD32 与 STM32 启动时间都是 2ms，实际上 GD 的执行效率快，所 以 ST 的 HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500)是 2ms，但是这个宏定义值 在 GD 上时间就更加短了，所以要加大这个值的设置
处理的办法：
将宏定义： #define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500) 修改为： #define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF) 备注：启动时间宏定义所在位置：
在 V3.X 的库，其启动时间宏定义在 stm32f10x.h 头文件中 （路径：\..\Libraries\CMSIS\CM3）。（库版本的不同，所在目录也有所不同）
在 V3.0 以前的库，其启动时间宏定义在 stm32f10x_rcc.c 源文件中 (HSEStartUp_TimeOu（路径：\..\Libraries\STM32F10x_StdPeriph_Driver\src）。
2.有时候我在使用有源晶振的 GD32F103小容量的产品出现问题，发现会在 MCU 的复位管脚一直把电平拉到 0.89V，电平不能保持在高电平，这是因为部分有源晶振起振时间太快，复位信号还没有完成产生的。
处理的办法：在有源晶振的输入端与地之前并上一个 30pf 电容。
GD32MCU主频支持108MHz高性能，在代码移植时我们需要注意的一些事项，GD32 通过芯片内部加大缓存，提高了相同工作频率下的代码执行速度，带来 了高性能的使用体验。
因此如果代码有用到 for 循环或 while 循环语句做精确定时的，定时时间会由 于代码执行速度加快而使循环的时间变短。使用 Timer 定时器则没有影响。
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