台积电：2nm工艺将在2025年量产，采用GAA技术

在先进制程方面，台积电进度可谓领先全球，此前有消息称，台积电3nm FinFET（鳍式场效晶体管）将在今年下半年如期量产。近日，有台媒报道，其下一代2nm GAA（闸极全环晶体管）目标2025年正式登场。

台积电总裁魏哲家于近期法说会上表示，3nm预计2022年下半年量产，下一世代的2nm目标2024年风险性试产，2025年量产。尽管台积电2nm量产时间相较主要竞争对手宣示的时间来得晚，但公司仍有信心，该制程将是最成熟、领先的技术，以支持客户成长。

不同于三星在3nm导入GAA制程，台积电更着重“稳扎稳打”的策略，3nm FinFET依旧是当前最具备竞争力的制程，并获得苹果等国际大客户下单力挺。台积电很早就投入GAA的研发，且已拍板2nm将采用GAA技术为基础的MBCFET（多桥通道场效晶体管）架构。