提到闪存芯片，大家都知道，做得不错的是三星、SK海力士、美光等巨头，一直以来占据着市场较大份额。但是，在闪存芯片领域，中国的长江存储也毫不逊色。4月19日，长江存储正式推出名叫“UC023”的UFS 3.1通用闪存（一款高速闪存芯片），打破了国外技术“垄断”，性能不输三星，比其他的都更好。
UC023闪存能够打破国外技术“垄断”，那它有什么样的技术优势？它的性能与三星等其他厂家比又如何？本文就和大家一起聊聊这两个问题。
UC023的技术优势
UC023拥有自主可控的核心技术X-tacking架构，打破了国外技术“垄断”，又是专为5G时代打造的，因此本身具有独特的技术优势。
核心技术X-tacking架构带来的优势
1、采用Xtacking（晶栈）架构的UC023闪存芯片，可以将开发产品周期缩短90天，将生产周期缩短20%，且工艺的良率可达到99.999%。
2、UC023的加工方式会比其他3D NAND技术更保障。在两片独立的晶圆上，分别加工I/O传输及记忆单元的电路，再利用Xtacking技术通过数百万根垂直互联通道将两片晶圆合二为一。通过这种技术加工，能让闪存芯片拥有更高的传输速度，还有更高的存储密度，且更有稳定性和安全性。
3、Xtacking架构另一个优势，就是把外围电路置于存储单元之上，从而实现更高的存储密度。而传统3D NAND技术，则是平面体，外围电路所占据的芯片面积25%左右，堆叠到128层甚至更高时占比会更高。
专为5G时代打造
5G时代下，人工智能物联网、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用，是市场主流需求，对读写和存储性能要求极高。UC023融入了多项技术，将UFS 3.1通用闪存的优势发挥得更广泛，满足了5G时代主流市场需求。
具体表现如下：
1、它引入了随机写性能优化机制，写入速度提升至230K IOPS*，并能同时保证超低功耗运行。因此，它具有出色的性能功耗比，可增强用户移动体验，例如：玩高帧率游戏、看8K视频不卡顿，移动端应用可自如切换等。
2、它搭载了HID技术，即主机碎片化整理技术，对数据处理操作具有更好的优化作用。因此，可以节省更多的存储空间，对于存储容量有严苛要求的智能产品，都是可以满足需求。
因此，UC023能够满足高性能读写和存储需求，适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域。
UC023与三星等其他厂家闪存比如何？
UC023也是UFS 3.1通用闪存，虽然是4月19日推出的，时间上比三星晚了，但是性能不输三星，更比别的公司好。
1、存储密度远超三星等
因为，长江存储拥有自主可控的Xtacking架构技术，可以增加芯片的密度。早在2021年间，国外机构Tech Insights，就曾拆解过长江存储的TLC 3D闪存（128层），发现其存储密度达到了8.48 Gb/mm，这是已是业界最高的。
而业界闪存芯片做的好的三巨头，该项表现却远不如长江存储，比如：SK海力士的存储密度为8.13GB/mm，美光的为7.76GB/mm，三星仅有6.91GB/mm。
2、读写性能上不输三星，比其他都高
三星的UFS 3.1闪存芯片目前算是最好的产品，因为它从2020年就发布了128层的该系列闪存，其中的512GB版读取速度2100MB/s，写入速度1200MB/s。而UC023（128层)系列中512GB版读取速度2000MB/s，写入速度1250MB/s。可以说两家各有所长，不分伯仲，都处于世界尖端水平上。
但是，美光去年发布的176层的UFS 3.1闪存，其读取速度才只有1500MB/s，写入速度估计没有优势才未能公布。
结束语
在半导体领域里，芯片相关的技术研发之路还很长的路要走，但这不代表国产芯片发展得慢。闪存芯片已经开始崛起，能在这个领域有了话语权，这也代表着国内半导体正在努力寻求突破。
希望越来越多的半导体企业，能够投入到芯片产业链中，加大自身的研发力度，努力实现弯道超车。
对此，你怎么看呢？
