随着东芯股份多个研发项目逐步落地，未来高技术壁垒产品有望实现更高的单价定位，优化公司产品结构，实现产品持续向市场渗透，为长期发展确立竞争优势。
作者｜James 校对｜Andy
集微网消息，4月22日，东芯半导体股份有限公司（简称，东芯股份，证券代码688110）发布2021年度业绩报告。2021年1-12月营业总收入为113,428.13万元，比上年同期增长44.62%；归属于母公司股东的净利润为26,179.62万元，比上年同期增长1240.27%。
聚焦中小容量市场，把握“芯”机遇存储芯片为整个集成电路市场中规模占比最大的细分领域，2021年占比达到35.05%。随着汽车电子、5G通讯、物联网、可穿戴等新兴领域的崛起，存储芯片在整个产业链中扮演的角色将更加重要。从竞争格局来看，目前全球储存芯片市场被海外企业垄断，头部集中度高，但整个市场呈现分化现象。在中小容量存储市场存在差异化发展机遇，目前供应商主要为中国台湾和大陆厂商，随着国产化需求的不断提高，大陆企业有望迎来良好的发展契机。东芯股份成立于2014年，聚焦于中小容量存储芯片的研发、设计和销售，是本土少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等主要存储芯片完整解决方案的公司，并拥有清晰自主知识产权。据了解，东芯股份的核心技术均来源于自主研发，经过多年的技术积累和研发投入，在NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，包括6项NAND Flash相关技术、2项NOR Flash相关技术以及1项DRAM相关技术。东芯股份设计研发并量产的24nm NAND、48nm NOR也均为大陆领先的NAND、NOR工艺制程。供应链方面，东芯股份已与中芯国际、力积电等知名晶圆代工厂商以及紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等境内外知名封测厂建立稳定的合作关系。下游客户方面，东芯股份产品不仅在高通、博通、联发科、紫光展锐、北京君正、恒玄科技等多家知名平台厂商获得认证，同时已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、中兴通讯、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系，未来有望逐步放量。在供货稳定和下游需求旺盛的双重驱动下，东芯股份2021年迎来业绩爆发。在实现营收稳定增长的同时，还为股东创造丰厚的利润。
多产品线齐头并进，向多个应用市场渗透东芯股份能取得突出的业绩，主要得益于其多产品线布局。据了解，东芯股份的主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash；易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP,一是SLC NAND Flash，东芯股份聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，核心技术优势明显，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖1Gb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。二是 NOR Flash，目前东芯股份自主设计的SPI NOR Flash存储容量覆盖2Mb至256Mb，并支持多种数据传输模式，三是标准的DRAM产品，东芯股份的DDR3系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；同时针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR系列产品具有低功耗、高传输速度等特点，适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。最后一类是衍生产品MCP,产品集成了自主研发的闪存芯片与DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科的4G模块平台通过认证，被应用于功能手机、MIFI、网络电话、POS机等产品之中。东芯股份丰富的产品线布局下，其对应的应用领域也有所不同。资料显示，东芯股份目前产品应用的领域主要分成四大类，第一类是网络通讯的产品，从包括5G的宏基站到微基站，在家庭部分的话主要是接入网的部分，比如家用的光猫；还包括最近一年应用在WiFi6的网通类产品。第二大应用是可穿戴设备，主要还是以TWS蓝牙耳机、智能手环智能手表等细分市场为代表；第三个是安防监控，主要是做监控IPC。第四大应用的是模块，主要是MCP产品的应用，包括在5G、cat.4等方面。此外，东芯股份拥有自主完整的知识产权，凭借积淀多年的存储芯片设计经验和资深的研发团队，可根据客户的特定需求提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高了产品开发效率。在为客户进行定制化的设计过程中，不断了解市场对产品功能需求，接收客户对终端产品的反馈，反复验证和打磨已有的技术，建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环，也进一步增强技术能力。
强化技术和研发能力，布局1xnm和车规产品等多个研发项目多产品线布局为东芯股份创造了可观的回报，而持续投入带来的技术积累和研发能力提升，是其多产品渗透市场的主要动力。据了解，东芯股份IPO募集的7.5亿元主要用于布局四大项目：1xnm 闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建设项目和补充流动资金。其中，1xnm闪存项目系东芯股份与中芯国际合作研发，旨在实现国内存储芯片先进制程技术的进一步突破，从而为将来设计更高容量、更具成本优势的产品打开空间，加速实现国产替代。车规级存储项目则是东芯股份顺应汽车产业在智能网联功能的布局，大力发展在工艺技术、使用环境、抗振能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高的高附加值车规级存储芯片以提升竞争力。此外，东芯股份研发中心项目包括研发存算一体化芯片、DTR NAND 等前瞻性产品，旨在拓展东芯股份产品系列由通用型芯片向特色性能产品延伸。不难看出，随着东芯股份多个研发项目逐步落地，未来高技术壁垒产品有望实现更高的单价定位，优化公司产品结构，实现产品持续向市场渗透，为长期发展确立竞争优势。
