新芯片技术的研发已经在世界各地启动，ASML制造技术将被取代

最近，拥有ASML公司的荷兰正式宣布，投资11亿欧元开发下一代芯片技术光子芯片。荷兰之所以也投资于新芯片技术的研发，是因为随着芯片制造技术越来越接近天花板，新芯片技术的研发已经在世界各地启动。

一、芯片技术变革。

目前芯片基本上是BLF820硅芯片，通过更先进的技术提高芯片性能，20多年来，芯片制造技术从微米技术发展到纳米技术，目前正在推进3nm技术批量生产，越来越接近原子0.1纳米，可以预计硅作为芯片材料最终达到极限。

事实上，目前的芯片制造技术有些人认为台积电和三星玩数字游戏，他们的芯片制造技术和以前的纳米，微米技术命名规则发生了重大变化，互联网也拿出数据指出台积电和三星10nm，7nm技术对应互联网14nm，10nm技术，在名称上，而不是遵循以前的芯片制造技术命名规则，所以芯片制造技术性能的改进远不能达到预期。

工艺进展面临困难，推动芯片行业开展芯片新技术研发，全球开始开发碳基芯片，碳基芯片可实现更先进的工艺，碳基芯片功耗低于硅基芯片，碳基芯片功耗仅为硅基芯片的十分之一左右。

除了碳基芯片的研发，世界还在开发量子芯片、光子芯片，或将这两种技术合并为光量子芯片，其中谷歌早在2019年测试量子计算，声称获得量子霸权，但受到科技巨头IBM的质疑，技术没有得到科学界的认可。

中国还在推进碳基芯片、量子芯片和光子芯片的技术研发，努力跟上世界的步伐。欧洲、美国和中国是世界三大经济体。当美国和中国都在开展芯片新技术的研发时，欧洲当然不愿意落后，荷兰作为欧洲经济体之一，自然会根据欧盟的布局开展芯片新技术的研发。

第二，ASML可能会被抛弃。

碳基芯片、量子芯片、光子芯片等先进芯片技术远非商业化，对ASML光刻机业务的影响相对较小。然而，目前正在推进的芯片制造技术变革对ASML产生了真正的影响。

首先是日本已经商业化的NIL技术，完全放弃了ASML的光刻机。日本开发的芯片制造技术不需要ASML光刻机，因为EUV光刻机成本太高，EUV光刻机价格高达1.5亿$，下一代更准确的EUV光刻机价格预计将进一步提高到3亿$，昂贵的EUV光刻机让日本企业难以接受，因此几年前开始开发没有ASML光刻机的芯片制造技术。2020年，纳米压印微影（NIL）技术成功开发，并已应用于Kioxia的NANDFlash芯片生产。

其次，北方一个国家计划用X射线进行光刻。它长期以来一直在研究无掩模X射线光刻机，这是可行的，因为它的波长比ASML使用的极紫外线短，X射线波长在0.01nm到10nm之间，而EUV的极紫外线波长为13.5nm，X射线光刻机可以直接光刻，无需光掩模，可以大大降低芯片制造成本，精度更高。

第三，目前广泛使用光刻机的台积电、Intel、三星等Chiplet技术正在推广。该技术旨在利用现有的芯片制造技术，通过包装技术的变化，以成熟的技术开发出性能与先进技术相当的芯片。台积电推出的3DWOW技术为英国公司生产的芯片，辅以7nm技术和3DWOW技术，性能提升幅度达到40%。

中国延续了当前芯片制造技术的方向。据悉，中芯国际即将用DUV光刻机生产7nm工艺。这项技术实际上是由台积电实现的。在此之前，台积电的第一代7nm工艺是用DUV光刻机生产的，然后升级为7nmEUV。7nm工艺将足以满足中国大多数芯片的需求。同时，华为开发的芯片堆叠技术也可以归类为Chiplet技术，与7nm工艺相结合，有望达到5nm工艺的性能。

北方一个国家和日本推广的芯片制造技术已经完全放弃了ASML的光刻机、台积电、Intel等。，而中国大陆芯片行业推广的技术不需要大规模购买ASML先进的EUV光刻机，这将对ASML的业绩造成重大打击，而未来的碳基芯片、光子芯片、量子芯片等都完全放弃了光刻机。可以说，ASML的好日子已经结束了。