北交大:碳化硅MOSFET栅极振荡的一种负反馈抑制方法来源:宽禁带半导体技术创新联盟发布时间:2022-04-201987浏览询问 AI 文章作者:邵天骢,北京交通大学电气工程学院讲师。在SCI期刊和国际会议发表论文20余篇,申请授权发明专利10余项。担任IEEE TPEL, IEEE TIE等多个国际期刊审稿人。获第十四届中国高校电力电子与电力传动学术年会优秀论文奖。主要研究方向:宽禁带器件有源驱动、新型拓扑及控制方法。 新闻来源:宽禁带半导体技术创新联盟,文中所述为作者独立观点,不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj。